[发明专利]柔性扁平电缆及其制造方法、柔性印刷基板及其制造方法无效
申请号: | 201110168314.9 | 申请日: | 2011-06-16 |
公开(公告)号: | CN102332332A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 藤户启辅;辻隆之 | 申请(专利权)人: | 日立电线株式会社 |
主分类号: | H01B7/08 | 分类号: | H01B7/08;H01B5/02;H01B13/00;H05K3/10 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓桢 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 扁平 电缆 及其 制造 方法 印刷 | ||
技术领域
本发明涉及柔性扁平电缆、柔性印刷基板、柔性扁平电缆的制造方法以及柔性印刷基板的制造方法。本发明特别涉及具有含锡合金的导电层的柔性扁平电缆、柔性印刷基板、柔性扁平电缆的制造方法以及柔性印刷基板的制造方法。
背景技术
近年的电气设备中使用很多信号线。而且,在向电气设备中有动作的部件发送信号时,该部件和向该部件发送信号的部件通过具有可挠性的柔性扁平电缆(FFC)或柔性印刷基板(FPC)来连接。而且,在FFC和FPC的配线材料的表面设置了用于防止配线材料的氧化、腐蚀等的锡、银、金、镍等镀层。此处,由于锡柔软,施加压力时容易变形。因此,在雄雌端子的配线层上施加锡镀层时,由于雄端子和雌端子的嵌合,使得锡镀层变形,从而增加雄端子和雌端子的接触面积。由于这样能够降低接触电阻,因此在配线材料的表面施加锡镀层被广泛实施。此处,在配线表面设置含锡的镀层时,从该镀层会析出被称作“晶须”的针状晶体,有可能使具有该镀层的配线与其他配线发生短路。
于是,以往已知有:在导电体部件的电气接线部分施加厚度0.2μm以上、不足1.0μm的锡镀层后,通过热处理使锡镀层的锡和导电体的合金层的比率为50%以上的导电体部件的制造方法(例如,参照专利文献1)。
专利文献1中记载的导电体部件的制造方法由于在锡的熔点以上的温度实施热处理从而形成锡的合金层,因此能够减少作为晶须的产生源的锡层的量,从而能够在无铅时减少晶须的产生。
专利文献1:日本特开2006-127939号公报
发明内容
但是,专利文献1中记载的导电体部件的制造方法由于在锡的熔点以上的温度实施热处理,因此通过锡的再结晶化会产生晶粒大的锡,这种情况下,无法充分缓和在导电体内部产生的应力,从而有可能难以控制晶须的产生。
因此,本发明的目的在于,提供一种能够抑制晶须产生的柔性扁平电缆、柔性印刷基板、柔性扁平电缆的制造方法以及柔性印刷基板的制造方法。
为了达成上述目的,本发明提供一种柔性扁平电缆,其具备:具有由铜或铜合金构成的导电性基材和设置于前述导电性基材表面的导电层的导体、设置于前述导体上方的第1绝缘层以及设置于前述导体下方的第2绝缘层。前述导电层由在前述导电性基材上形成的铜-锡金属间化合物层以及在该铜-锡金属间化合物层上形成的残余锡层构成,所述残余锡层至少包含由锡和铋构成的锡-铋固溶体、锡和不可避免的杂质。
另外,就上述柔性扁平电缆而言,锡-铋固溶体优选含有3质量%以下的铋。
另外,就上述柔性扁平电缆而言,残余锡层优选进一步含有未完全固溶而析出的铋晶体。
另外,就上述柔性扁平电缆而言,导电层中含有的锡-铋固溶体使用X射线衍射装置测定的该锡-铋固溶体的晶格常数优选为,a轴在0.584nm以上0.585nm以下的范围内,c轴在0.3185nm以上0.32nm以下的范围内。
另外,就上述柔性扁平电缆而言,导电层中含有的前述锡-铋固溶体使用X射线衍射装置测定的该锡-铋固溶体的晶胞体积优选在0.1085nm3以上0.109nm3以下的范围内。
另外,为了达成上述目的,本发明提供一种柔性印刷基板,其具备:第1绝缘膜和第2绝缘膜,以及设置于前述第1绝缘膜和前述第2绝缘膜之间的、具有由铜或铜合金构成的导电性基材和设置于前述导电性基材表面的导电层的配线电路。前述导电层由在前述导电性基材上形成的铜-锡金属间化合物层以及在该铜-锡金属间化合物层上形成的残余锡层构成,所述残余锡层至少包含由锡和铋构成的锡-铋固溶体、锡和不可避免的杂质。
另外,就上述柔性印刷基板而言,锡-铋固溶体优选含有3质量%以下的铋。
另外,就上述柔性印刷基板而言,残余锡层优选进一步含有未完全固溶而析出的铋晶体。
另外,就上述柔性印刷基板而言,导电层中含有的前述锡-铋固溶体使用X射线衍射装置测定的该锡-铋固溶体的晶格常数优选为,a轴在0.584nm以上0.585nm以下的范围内,c轴在0.3185nm以上0.32nm以下的范围内。
另外,就上述柔性印刷基板而言,导电层中含有的锡-铋固溶体使用X射线衍射装置测定的该锡-铋固溶体的晶胞体积优选在0.1085nm3以上0.109nm3以下的范围内。
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