[发明专利]铜基体上直接生长网状碳纳米管的方法

权利要求书

1.一种铜基体上直接生长网状碳纳米管的方法，其特征在于包括以下过程：

1)将铜基体进行抛光后，分别用去离子水、丙酮和乙醇超声清洗，然后在温度25-30℃下干燥，并进行氩气等离子处理0.5-10min；

2)将硝酸钴加入去离子水中，配制0.005-0.05mol/L硝酸钴水溶液；

3)将步骤1)处理的铜基体置入步骤2)的溶液中，浸渍20-40秒，经真空干燥箱中在80-100℃下干燥1-4小时，将其放入石英舟中，在石英反应管的恒温区，在氩气保护下以升温速率10℃/min升至温度200-400℃，恒温煅烧1-4小时，得到了负载有催化剂的铜基体；

4)将步骤3)所制得的负载有催化剂的铜基体铺展在石英舟中，将石英舟置于石英反应管恒温区，在氩气保护下，以升温速率10℃/min石英反应管升至温度700℃-850℃后，以流速为250-300mL/min向石英反应管通入氩气、氢气和乙炔气的混合气进行催化裂解反应0.2h-1h，其中，氩气、氢气和乙炔气的体积比为(150-300)∶(10-100)∶(10-100)，然后在氩气氛围下将炉温降至室温，得到铜基体上生长网状碳纳米管。