[发明专利]石墨烯纳米带的制备方法无效
| 申请号： | 201110168562.3 | 申请日： | 2011-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102243990A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 程新红;张有为;徐大伟;王中健;夏超;俞跃辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/321;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨 纳米 制备 方法 | ||
1.一种石墨烯纳米带的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
在半导体衬底上生成过渡金属薄膜层；
在所述过渡金属薄膜层上均匀涂覆光刻胶以形成光刻胶层，并将其烘干；
藉由一预设有版图的光掩膜对所述光刻胶层曝光，之后显影、烘干，以便在所述光刻胶层上形成与所述版图相对应的图形；
注入碳离子，以使所述碳离子经由所述图形注入至所述过渡金属薄膜层中；
去除所述光刻胶层，并清洗所述过渡金属薄膜层的表面；以及
对所述过渡金属薄膜层进行退火处理，使碳原子从所述过渡金属薄膜层中析出重构，以便在所述金属薄膜层表面制备出具有特定形状和尺寸的石墨烯纳米带。
2.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带的制备方法，其特征在于，所述过渡金属薄膜层是采用过渡金属Ni、Ru、Ir、Pt、或者Co来形成的。
3.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带的制备方法，其特征在于，所述过渡金属薄膜层是采用合金来形成的，所述合金是由选自过渡金属Ni、Ru、Ir、Pt、以及Co所组成的群中的至少两种制备的。
4.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带的制备方法，其特征在于，所述过渡金属薄膜层是采用化学沉积法、溅射法、以及电子束蒸发法中一种方法形成。
5.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带的制备方法，其特征在于，所述碳离子是通过用碳离子束轰击所述过渡金属薄膜层被注入的。
6.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带的制备方法，其特征在于，所述过渡金属薄膜层的厚度为50纳米至300纳米。
7.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带的制备方法，其特征在于，所述退火处理是通过将所述过渡金属薄膜层在惰性气体的环境中加热至700℃至1200℃的温度范围内，并保持5分钟至60分钟后再冷却来完成的。
8.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带的制备方法，其特征在于，所述退火处理是通过将所述过渡金属薄膜层在真空环境中加热至700℃至1200℃的温度范围内，并保持5分钟至60分钟后再冷却来完成的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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