[发明专利]具有独立电传与热传路径的发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，所述的发光二极管包含：

一导热基板，具有至少一电性隔离层，用以提供从所述的基板的一第一侧到一第二侧而通过所述的基板的一热传路径；

一阳极接通连接，从所述的第一侧到所述的第二侧；

一阴极接通连接，从所述的第一侧到所述的第二侧，所述的阳极接通连接和所述的阴极接通连接系并列式地位于所述的基板上；以及

一LED晶片，固定于所述的第一侧，与所述的阳极接通连接和所述的阴极接通连接电性通信。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述的发光二极管更包含：一阴极导体，与所述的阴极接通连接电性通信；以及一阳极导体，与所述的LED晶粒电性接触并且与所述的阳极接通连接电性通信。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述的阳极接通连接和所述的阴极接通连接各自包含一通孔，所述的通孔位于所述的基板中而至少部份填充有一金属。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述的导热基板包含一材料，所述的材料系选自于由GaAs、SiC、AlN、Al₂O₃以及蓝宝石所构成的群组。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述的导热基板包含n型硅，所述的n型硅具有与所述的阴极接通连接电性通信的一p+层、以及与所述的LED晶片电性接触并且与所述的阳极接通连接电性通信的一n+层，用以形成一稽纳二极管。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述的导热基板包含p型硅，所述的p型硅具有与所述的阴极接通连接电性通信的一n+层、以及与所述的LED晶片电性接触并且与所述的阳极接通连接电性通信的一p+层，用以形成一稽纳二极管。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述的发光二极管更包含一基板，装在所述的导热基板上，且其中所述的阳极接通连接和所述的阴极接通连接各自包含一回焊金属凸块于所述的基板上。

8.一种发光二极管，其特征在于，所述的发光二极管包含：

一半导体基板，具有一第一侧；一第二侧；一隔离层，位于所述的第一侧上，用以提供垂直电性隔离；以及一热传路径，从所述的第一侧到所述的第二侧；

一阳极接通连接，包含从所述的第一侧到所述的第二侧的一第一通孔，所述的第一通孔至少部份填充有一第一金属凸块；

一阴极接通连接，包含从所述的第一侧到所述的第二侧的一第二通孔，所述的第二通孔至少部份填充有一第二金属凸块；

一LED晶片，固定于所述的第一侧，在所述的阳极接通连接和所述的阴极接通连接之间并且与两者电性通信；以及

一稽纳二极管，包含在所述的第一侧上与所述的阴极接通连接电性接触的一内第一型硅层，以及在所述的第一侧上与所述的阳极接通连接与所述的LED晶片电性接触的一外第二型硅层。

9.如权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述的半导体基板包含n型硅，所述的内第一型硅层包含一p+层，且所述的外第二型硅层包含一n+层。

10.如权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述的半导体基板包含p型硅，所述的内第一型硅层包含一n+层，且所述的外第二型硅层包含一p+层。

11.如权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述的稽纳二极管包含复数个硅层，用以提供双向保护。

12.一种发光二极管，其特征在于，所述的发光二极管包含：

一导热基板，具有至少一电性隔离层，所述的电性隔离层用以提供从所述的基板的一第一侧到一第二侧而通过所述的基板的一热传路径；

一阳极接通孔，从所述的第一侧到所述的第二侧，至少部份沿一阳极导体而排列；

一阴极接通孔，从所述的第一侧到所述的第二侧，至少部份沿一阴极导体而排列，所述的阳极接通连接和所述的阴极接通连接系并列式地位于所述的基板上；

一LED晶片，固定于所述的第一侧，与所述的阳极导体电性通信；

一基板，装在所述的导热基板上，具有与所述的阴极通孔电性接触的一第一凸块，以及与所述的阳极通孔电性接触的一第二凸块。