[发明专利]利用图案化晶格缓冲层的氮化物基发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物基发光器件，包含基板上的缓冲层和发光结构，所述氮化物基发光器件包括：

基板；

形成于所述基板上的缓冲层；以及

形成于所述缓冲层上且具有多层氮化物层的发光结构，

其中，空隙形成于所述基板与所述缓冲层之间。

2.根据权利要求1所述的氮化物基发光器件，其中，所述发光结构包括：

形成于所述缓冲层上的n型氮化物层；

形成于所述n型氮化物层上的发光活性层，以及

形成于所述发光活性层上的p型氮化物层。

3.根据权利要求2所述的氮化物基发光器件，其中，所述基板为n型硅基板。

4.根据权利要求3所述的氮化物基发光器件，其中，所述缓冲层为n型缓冲层。

5.根据权利要求1所述的氮化物基发光器件，其中，所述发光结构包括：

形成于所述缓冲层上的p型氮化物层；

形成于所述p型氮化物层上的发光活性层；以及

形成于所述发光活性层上的n型ZnO层。

6.根据权利要求5所述的氮化物基发光器件，其中，所述基板为p型硅基板。

7.根据权利要求6所述的氮化物基发光器件，其中，所述缓冲层为p型缓冲层。

8.一种制造氮化物基发光器件的方法，所述氮化物基发光器件包含基板上的缓冲层和发光结构，所述方法包括：

在基板上沉积具有纤锌矿晶格结构的材料以形成沉积层；

在所述沉积层的表面上形成蚀刻图案以形成图案化的晶格缓冲层；以及

在所述图案化的晶格缓冲层上生长多层氮化物层，以形成缓冲层和发光结构，

其中，生长所述多层氮化物层包括去除所述图案化的晶格缓冲层以在所述多层氮化物层的去除了所述图案化的晶格缓冲层的部分处形成空隙。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述沉积层由ZnO形成。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述沉积层通过MOCVD形成。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述沉积层通过溅射形成。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，生长所述多层氮化物层首先在氮气氛下执行，然后在氢气氛下执行。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述基板为硅基板或蓝宝石基板。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，所述图案化的晶格缓冲层通过光刻和蚀刻来形成。