[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底内形成有像素阵列，所述像素包含有感光单元，相邻像素之间以浅沟槽绝缘结构隔开；

位于半导体衬底表面的透光层，所述透光层对准感光单元；

位于半导体衬底表面的不透光层，所述不透光层包围所述透光层；

位于不透光层内的金属层及连接相邻金属层的导电插塞。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述不透光层材料为绝缘材料。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述绝缘材料为硅氧氮化合物。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述金属层和导电插塞的材料为掺杂的多晶硅、铝、铜或钨。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：覆盖最上层金属层的钝化层，位于所述钝化层上的多个与感光单元一一对应的微透镜。

6.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有像素阵列，所述像素包含有感光单元，相邻像素之间以浅沟槽绝缘结构隔开；

在所述半导体衬底上形成刻蚀停止层；

在所述刻蚀停止层上形成第一不透光层，所述不透光层覆盖所述感光单元和浅沟槽绝缘结构；

在第一不透光层内形成第一通孔；

向所述第一通孔内填充满导电物质，形成第一导电插塞；

在第一不透光层上或内形成分立的第一金属层，所述第一金属层与第一导电插塞连通；

在第一不透光层上形成覆盖第一金属层的第二不透光层；

在第二不透光层内形成第二导电插塞；

在第二不透光层上或内形成分立的第二金属层，所述第二金属层与第二导电插塞连通；

继续形成预定数量的不透光层、金属层及贯穿不透光层厚度与金属层连通的导电插塞；

在最后一层不透光层上形成覆盖最后一层金属层的钝化层；

刻蚀钝化层及不透光层至露出刻蚀停止层，形成垂直对准感光单元的沟槽；

向沟槽内填充满透光材料，形成透光层。

7.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述不透光层材料为绝缘材料。

8.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层材料为透光材料。

9.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述绝缘材料为硅氧氮化合物。