[发明专利]高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法有效
| 申请号： | 201110170850.2 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102243995A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 顾学强;周伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 工艺 不同 厚度 集成 方法 | ||
1.一种高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，在所述衬底上依次形成氧化层和氮化硅层，所述衬底包括第一区域和第二区域；
在所述第一区域中形成高压浅沟槽隔离结构，在所述第二区域中形成低压浅沟槽隔离结构，所述高压浅沟槽隔离结构的深度大于所述低压浅沟槽隔离结构的深度；
在所述衬底表面形成栅氧化层；
利用湿法刻蚀去除所述第二区域的栅氧化层及部分低压浅沟槽隔离结构，所述第一区域中剩余的栅氧化层形成高压栅氧化层的一部分；
利用热氧化工艺，在所述第一区域形成最终的高压栅氧化层，在所述第二区域的表面形成低压栅氧化层。
2.如权利要求1所述的高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法，其特征在于，在形成所述高压浅沟槽隔离结构和低压浅沟槽隔离结构的步骤中，包括以下步骤：
利用光刻和刻蚀工艺依次在所述第一区域中形成高压隔离区，在所述第二区域中形成低压隔离区；
在所述高压隔离区和低压隔离区中填充氧化硅，并进行平坦化工艺，直至暴露所述衬底，以在所述高压隔离区中形成所述高压浅沟槽隔离结构，在所述低压隔离区中形成所述低压浅沟槽隔离结构。
3.如权利要求2所述的高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法，其特征在于，在所述高压浅沟槽隔离结构和低压浅沟槽隔离结构步骤中，所述氧化硅采用高密度等离子体淀积法形成。
4.如权利要求1～3中任意一项所述的高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法，其特征在于，在形成所述高压浅沟槽隔离结构和低压浅沟槽隔离结构步骤中，所述低压浅沟槽隔离结构的深度小于所述高压浅沟槽隔离结构的深度，深度差为
5.如权利要求1所述的高压工艺中不同厚度栅氧化层的集成方法，其特征在于，最终形成的低压浅沟槽隔离结构的深度等于最终形成的高压浅沟槽隔离结构的深度。
6.如权利要求1所述的高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法，其特征在于，最终形成的低压浅沟槽隔离结构的高度低于最终形成的高压浅沟槽隔离结构的高度，高度差为
7.如权利要求1所述的高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法，其特征在于，所述高压栅氧化层的厚度为
8.如权利要求1所述的高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法，其特征在于，所述低压栅氧化层的厚度为
9.如权利要求1所述的高压工艺中不同厚度栅氧的集成方法，其特征在于，所述栅氧化层采用热氧化工艺形成。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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