[发明专利]一种绝缘体上锗衬底的制备方法

权利要求书

1.一种GeOI衬底制备方法，其步骤包括：

1)分别对锗衬底和硅衬底进行必要的清洗；

2)去除锗衬底和硅衬底表面的自然氧化层；

3)在锗衬底上淀积一层SiO₂，做为埋氧层；

4)在SiO₂上淀积一层Si_xN_y；

5)向SiO₂中注入氟离子；

6)在Si_xN_y上淀积一层用于键合的SiO₂；

7)在硅衬底上生长一层用于键合的SiO₂；

8)对Si_xN_y上SiO₂和硅衬底上的SiO₂做表面激活处理，并将两衬底沿激活表面对准键合；

9)键合后退火；

10)对锗衬底进行减薄。

2.如权利要求1所述的GeOI衬底制备方法，其特征在于，所述步骤1)中对锗衬底的清洗步骤为有机清洗、盐酸清洗；对硅衬底的清洗步骤为1号标准清洗液清洗或2号标准清洗液清洗。

3.如权利要求1所述的GeOI衬底制备方法，其特征在于，所述步骤2)中去除锗衬底自然氧化层采用HF、HCl溶液浸泡的方法，亦可采用高温真空退火的方法；对于去除硅衬底表面的自然氧化物，采用HF或BOE溶液浸泡的方法。

4.如权利要求1所述的GeOI衬底制备方法，其特征在于，所述步骤3)或步骤6)中淀积SiO₂的方法有APCVD、LPCVD、PECVD、ALD或PLD。

5.如权利要求1所述的GeOI衬底制备方法，其特征在于，所述步骤4)中的Si_xN_y是通过APCVD、LPCVD、PECVD、ALD、PLD或溅射方法淀积。

6.如权利要求1所述的GeOI衬底制备方法，其特征在于，所述步骤5)中注入的氟离子能量为5keV～100keV。

7.如权利要求1所述的GeOI衬底制备方法，其特征在于，所述步骤7)中生长SiO₂的方法有热氧化、APCVD、LPCVD、PECVD、ALD或PLD。

8.如权利要求1所述的GeOI衬底制备方法，其特征在于，所述步骤8)中表面激活处理是亲水处理，或是N₂或H₂的等离子体激活处理，键合的方法有直接键合或阳极键合。

9.如权利要求1所述的GeOI衬底制备方法，其特征在于，所述步骤9)中键合后的退火是在N₂、H₂、NH₃、Ar等气氛中进行。

10.如权利要求1所述的GeOI衬底制备方法，其特征在于，所述步骤10)中的减薄是采用化学机械抛光的方法，或采用先进行智能剥离，再进行化学机械抛光的方法。