[发明专利]单层ITO的布线结构无效
申请号: | 201110172189.9 | 申请日: | 2011-06-24 |
公开(公告)号: | CN102339182A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 金莉;蔡立达;陈奇;李海 | 申请(专利权)人: | 苏州瀚瑞微电子有限公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215163 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 单层 ito 布线 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种ITO的布线结构,尤其是指一种单层ITO的布线结构。
背景技术
所谓ITO(铟锡氧化物)是一种用于生产液晶显示器的关键材料,目前,其在仪器仪表、计算机、电子表、游戏机和家用电器等领域都有了极为广泛的应用。近年来市场上大热的电容式触摸屏也是利用ITO来完成侦测触摸的动作,而电容触摸屏上ITO的布线一般是双层,其主要原理是:利用人体电场,当使用者触摸时,表面行或列的交叉处感应单元的互电容(也称耦合电容)会有变化,根据上述变化最终可检测出触摸点的具体位置。
常见的双层ITO的结构是菱形结构,其双层ITO分别布设在玻璃基板的同侧面上,为了避免电极之间的相互导通,所以需要在玻璃基板上设置桥接点,这样就可将双层ITO布设在玻璃基板的同一侧面上。虽然上述方法实现了侦测触摸的动作,但是这种采用双层ITO的触摸屏结构,不但工艺复杂,而且桥接处容易损坏,产品良率低,导致成本升高。为了克服上述缺点,部分厂商将ITO的结构设置成矩形,然后双面设置在玻璃基板的两层,如此以来,工艺的确的简单了很多,而且提高了产品良率,但是仍旧采用的是双层ITO的布线结构,ITO本身成本就较高,再加上双层的结构,使由此形成触摸屏的厚度也就增加了。如果能够克服双层ITO布图结构带来的局限性,所以无论是从成本上还是触摸屏的结构上考虑,单层ITO均具有更多优势。
因此需要为广大用户提供一种更加简便的ITO的布线结构来解决以上问题。
发明内容
本发明实际所要解决的技术问题是如何提供一种工艺简单,成本低廉的单层ITO的布线结构。
为了实现本发明的上述目的,本发明提供了一种单层ITO的布线结构,由若干个依次顺序排列的触控电极组构成,所述触控电极组包括正触控电极和负触控电极,所述每组中的正触控电极与负触控电极相对排列,且两电极的相对处呈S形曲线。
本发明所述的单层ITO的布线结构,相对双层ITO的布线而言,制造工艺更加简单,所以成本低廉,再者,由单层ITO组成的触摸屏厚度较薄,易于处理侦测的数据。
附图说明
图1是根据本发明所述单层ITO布线的第一种实施例。
图2是根据本发明所述单层ITO布线的第二种实施例。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
请参考图1所示,本发明涉及单层ITO的布线结构,所述ITO层1由多个触控电极10组成,所述触控电极10具有两个触控电极11和12,依次交错排列。其中,所述两个触控电极11和12一个是正极,一个是负极,组成一个触控电极组,而由若干个依次顺序排列的触控电极组就构成了单层ITO。
所述触控电极组中的所述触控电极11与所述触控电极12相对排列,且相对处呈S形曲线。所述触控电极组中,一个方向上的电极分别布设于另一个方向电极之间的空隙区域。所述正、负触控电极11和12的面积呈递变趋势,若一个触控电极呈递增趋势,那么另一个触控电极则呈递减趋势。所述每组触控电极中的正触控电极11和每组触控电极中的负触控电极12经导线分别连接到触控芯片2的相应引脚上。
所述图1中单层ITO 1中触控电极10由类三角形组成,其中,三角形的斜边是曲线,呈S形。所述每组触控电极组中的正、负触控电极面积相等,且所述每组触控电极的间距相等,即所述任意两电极组的间距相等。如此以来,可以保证更加精确的侦测出触控对象的具体位置。所述正触控电极11和负触控电极12交错排列,且各个触控电极最终通过导线连接到触控芯片2的相应引脚上。
所述图2中单层ITO 1中触控电极10由类梯形组成,其中,梯形的斜边是曲线,呈S形。所述每组触控电极组中的正、负触控电极面积相等,且所述每组触控电极的间距相等,即所述任意两电极组的间距相等。如此以来,功能匹配性好,且易于处理侦测的数据。
上述详细论述了由两种形状形成的触控电极组成的单层ITO的布图结构,利于侦测出触控对象的具体位置,所以不限于上述两种形式,只要两电极的相对处呈S形曲线,即使其它形状一样可以设计成上述布局结构,由于原理相同,不一一论述,但均应列入本发明的保护范围之中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州瀚瑞微电子有限公司,未经苏州瀚瑞微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110172189.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。