[发明专利]硅片处理装置及其处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种硅片处理装置，且特别涉及一种集成多种功能的硅片处理装置，其硅片处理方法也一并提出。

背景技术

电镀是IC电路后封装非常重要的工艺之一，其利用硅片的边缘做阳极，硅片中间的电镀窗口做阴极，然后在阴阳两极之间加一定的直流工作电压，通过控制电流大小及电镀槽中电镀液的浓度来控制金属凸块的高度。

由于光刻胶不导电，因此在电镀工艺之前需将硅片边缘的光刻胶去掉，去边宽度大小取决于前道硅片边缘曝光(Wafer Edge Exclusion，WEE)工艺的去边宽度。

传统的硅片去边方法很多，但总的归纳起来有两大类：化学去边法和边缘曝光法。化学去边法是利用硅片在涂胶过程中，通过向硅片边缘喷洒溶剂以消除硅片边缘光刻胶，该方法的缺点是去边时间长、溶剂耗材成本高且溶剂易喷洒到硅片中间图形区域，严重影响图形质量。边缘曝光法是将硅片通过真空吸附在旋转平台上，在硅片边缘上方固定一套紫外曝光镜头以产生一定大小尺寸的均匀照明光斑，然后利用旋转台的旋转来实现硅片边缘曝光。相比化学去边法，边缘曝光法有生产效率高、装置成本低和过程易于控制等优点。

同时，在边缘曝光过程中，硅片被传输到硅片旋转台上后，要通过硅片预对准来完成硅片的定心，以达到均匀的去边效果。

现有技术中，硅片预对准和硅片边缘曝光由两套光源和两套光学镜头，并且控制的对象较多，系统设计复杂，能源消耗较高，成本也较高。

发明内容

本发明提出一种硅片处理装置及其处理方法，能够解决上述问题。

为了达到上述目的，本发明揭露一种硅片处理装置，用以对硅片进行预对准及边缘曝光。硅片处理装置沿光路包括光源和光学镜头。光学镜头包括滤波片单元，滤波片单元包括预对准用滤波片和曝光用滤波片，预对准用滤波片通过预对准波段的光，曝光用滤波片通过曝光波段的光，预对准用滤波片和曝光用滤波片之一置于工作状态。

进一步说，光源的光谱波段覆盖预对准波段和曝光波段。

进一步说，还包括控制单元，电性连接滤波片单元，用以切换预对准用滤波片和曝光用滤波片置于工作状态。

本发明还提供一种硅片处理方法，采用硅片处理装置对硅片进行处理，硅片处理装置包括滤波片单元，滤波片单元包括预对准用滤波片和曝光用滤波片，预对准用滤波片通过预对准波段的光，曝光用滤波片通过曝光波段的光，其特征是，硅片处理方法包括以下步骤：

开启光源；以及

切换预对准用滤波片位于光源的光路中，对硅片进行预对准。

进一步说，硅片处理方法还包括：

切换曝光用滤波片位于光源的光路中，对硅片进行边缘曝光。

本发明还提供一种硅片处理方法，采用硅片处理装置对硅片进行处理，硅片处理装置包括滤波片单元，滤波片单元包括预对准用滤波片和曝光用滤波片，预对准用滤波片通过预对准波段的光，曝光用滤波片通过曝光波段的光，其特征是，硅片处理方法包括以下步骤：

开启光源；以及

切换曝光用滤波片位于光源的光路中，对硅片进行边缘曝光。

进一步说，硅片处理方法还包括：

切换预对准用滤波片位于光源的光路中，对硅片进行预对准。

本发明提出的硅片处理装置，硅片边缘曝光及预对准使用同一光源和同一光学镜头、传感器及硅片旋转台，提高了能量利用率，降低了整套系统的成本，同时也提高了整套系统的可靠性和紧凑性。

附图说明

图1所示为本发明硅片处理装置的结构示意图。

图2所示为本发明较佳实施例的硅片处理装置对硅片的处理方法。

具体实施方式

为了更了解本发明的技术内容，特举具体实施例并配合所附图示说明如下。

请参看图1，图1所示为本发明硅片处理装置的结构示意图。

硅片处理装置用以处理固定在硅片旋转台8上的硅片9。

硅片处理装置沿光路包括以下元件：光源6、光源快门5、光学镜头4、光电探测器快门2、光电探测器1。

硅片处理装置还包括控制单元7，电性连接于光源6、光源快门5、光学镜头4、光电探测器快门2、光电探测器1、硅片旋转台8，用以控制以上元件。

光源6为高压汞灯光源，光谱波段较宽，覆盖预对准波段和曝光波段。

光源快门5，系统工作时开启。系统不工作时关闭，避免光线入射到光学镜头中去。