[发明专利]用于磁共振成像设备的减振装置及包括其的梯度线圈有效
申请号: | 201110172302.3 | 申请日: | 2011-06-24 |
公开(公告)号: | CN102841328A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 陶红艳 | 申请(专利权)人: | 西门子(深圳)磁共振有限公司 |
主分类号: | G01R33/385 | 分类号: | G01R33/385 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 磁共振 成像 设备 装置 包括 梯度 线圈 | ||
1.一种用于磁共振成像设备的减振装置,包括:感应元件,形成在所述磁共振成像设备的梯度线圈的第一表面上,用于感应所述梯度线圈的径向位移并向控制装置发出位移信号;致动元件,形成在所述梯度线圈的与所述第一表面相对的第二表面上;控制装置,用于响应所述感应元件的所述位移信号而控制所述致动元件,以使该致动元件向梯度线圈施加与所述径向位移的方向相反的力。
2.如权利要求1所述的减振装置,其特征在于,所述感应元件和所述致动元件包括压电材料。
3.如权利要求2所述的减振装置,其特征在于,所述感应元件和所述致动元件由相同的压电材料构成。
4.如权利要求3所述的减振装置,其特征在于,所述感应元件和所述致动元件由压电陶瓷片构成。
5.如权利要求1所述的减振装置,其特征在于,所述第一表面为所述梯度线圈的远离待成像物体的外表面,所述第二表面为所述梯度线圈的靠近待成像物体的内表面。
6.如权利要求1所述的减振装置,其特征在于,所述感应元件包括多个感应单元,并且所述多个感应单元沿所述梯度线圈的纵向轴线彼此分隔开地分布在所述第一表面上;并且所述致动元件包括对应于所述多个感应单元的多个致动单元,并且所述多个致动单元被分布在所述第二表面的与所述多个感应单元的位置对应的位置上。
7.如权利要求6所述的减振装置,其特征在于,所述感应单元彼此分隔开相等的距离。
8.如权利要求1所述的减振装置,其特征在于,所述感应元件包括多个感应单元,并且分布在所述梯度线圈的第一区域中的感应单元的数量大于分布在所述梯度线圈的除该第一区域以外的其他区域中的感应单元的数量,其中所述梯度线圈在所述第一区域的振动幅度大于在所述其他区域中的振动幅度;并且
所述致动元件包括对应于所述多个感应单元的多个致动单元,并且所述多个致动单元被分布在所述第二表面的与所述多个感应单元的位置对应的位置上。
9.如权利要求1所述的减振装置,其特征在于,所述感应元件被形成在整个所述第一表面上,并且所述致动元件被形成在整个所述第二表面上。
10.如权利要求1所述的减振装置,其特征在于,所述梯度线圈包括沿该梯度线圈的纵向方向的开孔部,并且所述第一表面为所述梯度线圈的与所述开孔部的靠近待成像物体的表面相邻的内层表面、以及所述梯度线圈的与所述开孔部的远离所述待成像物体的表面相邻的外层表面,所述第二表面为所述梯度线圈的靠近所述待成像物体的内表面以及所述梯度线圈的远离所述待成像物体的外表面。
11.如权利要求1所述的减振装置,其特征在于,所述控制装置为采用自适应算法的闭环控制装置。
12.如权利要求11所述的减振装置,其特征在于,所述致动元件所施加的力的大小与所述感应元件感应到的所述径向位移成正比。
13.如权利要求1所述的减振装置,其特征在于,所述减振装置整体式形成到所述梯度线圈中。
14.如权利要求13所述的减振装置,其特征在于,所述减振装置通过注塑成型整体式形成到所述梯度线圈中。
15.如权利要求1所述的减振装置,其特征在于,所述减振装置单独形成并附接到所述梯度线圈上。
16.一种用于磁共振成像设备的梯度线圈,该梯度线圈包括如权利要求1至15中任一项所述的减振装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西门子(深圳)磁共振有限公司,未经西门子(深圳)磁共振有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110172302.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。