[发明专利]一种基于二维声子晶体反射栅的声表面波气体传感器无效
申请号: | 201110172815.4 | 申请日: | 2011-06-24 |
公开(公告)号: | CN102841138A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 刘勇;莫家庆 | 申请(专利权)人: | 新疆求是信息科技有限公司 |
主分类号: | G01N29/024 | 分类号: | G01N29/024 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 830000 新疆维吾尔自治区乌*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 二维 晶体 反射 表面波 气体 传感器 | ||
1.一种基于二维声子晶体反射栅的声表面波气体传感器,包括:压电基片、制备在压电基片上的单端叉指电极谐振器以及谐振器两端的二维声子晶体反射栅,其特征在于:所述声表面波气体传感器采用气敏半导体金属氧化物与空气柱构成的二维声子晶体结构作为谐振器两端的反射栅。
2.根据权利要求1所述的基于二维声子晶体反射栅的声表面波气体传感器,其特征在于所述气敏半导体金属氧化物采用氧化钨、氧化锡、氧化锌、氧化铁、氧化钛或氧化铟制成。
3.根据权利要求1所述的基于二维声子晶体反射栅的声表面波气体传感器,其特征在于所述叉指电极谐振器采用金属材料制成。
4.根据权利要求1所述的基于二维声子晶体反射栅的声表面波气体传感器,其特征在于二维声子晶体中空气柱的尺寸可根据实际应用中的谐振频率进行设计。
5.根据权利要求1所述的基于二维声子晶体反射栅的声表面波气体传感器,其特征在于所述压电基片采用铌酸锂晶片、石英晶片、氧化锌薄膜或氮化铝薄膜制成。
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