[发明专利]一种太阳电池P型表面的钝化层的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110173061.4 申请日: 2011-06-24
公开(公告)号: CN102254990A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 王登志;王栩生;章灵军 申请(专利权)人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 陶海锋;陆金星
地址: 215129 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳电池 表面 钝化 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳电池P型表面的钝化层的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1) 采用真空蒸镀的方法在太阳电池P型表面上制备铝膜;

(2) 利用阳极氧化法对上述铝膜进行氧化,形成氧化铝;

(3) 高温退火,即可得到氧化铝钝化层。

2.根据权利要求1所述的太阳电池P型表面的钝化层的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中铝膜的厚度为10~30 nm。

3.根据权利要求1所述的太阳电池P型表面的钝化层的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中的真空蒸镀是在真空室中进行,其真空度为10-4~10-5 mbar。

4.根据权利要求1所述的太阳电池P型表面的钝化层的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中,以表面镀有铝膜的硅片为阳极,以石墨、铂或钌为阴极,在电解液中加电压进行阳极氧化,形成氧化铝。

5.根据权利要求4所述的太阳电池P型表面的钝化层的制备方法,其特征在于:所述电解液选自草酸、硝酸和硫酸中的一种或几种,其浓度为0.2~1 mol/L。

6.根据权利要求1所述的太阳电池P型表面的钝化层的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中的退火温度为200~500 ℃。

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