[发明专利]中温用Ga2Te3基热电半导体及制备方法无效
| 申请号： | 201110173071.8 | 申请日： | 2011-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102234842A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 崔教林 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B1/00;C01B19/04 |
| 代理公司： | 宁波奥凯专利事务所(普通合伙) 33227 | 代理人： | 白洪长 |
| 地址： | 315211 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 中温用 ga sub te 热电 半导体 制备 方法 | ||
1.一种中温用Ga2Te3基热电半导体，其特征是该中温用Ga2Te3基热电半导体是选择金属元素Cd作为Ga2Te3热电半导体内部的添加元素，Cd元素在所述Ga2Te3中添加的摩尔分数与Ga2Te3的摩尔分数比为0.1～0.4，所述中温用Ga2Te3基热电半导体的化学式为(Ga2Te3)(CdTe)x，其中x=0.1～0.4。
2.一种中温用Ga2Te3基热电半导体的制备方法，其特征是中温用Ga2Te3基热电半导体是选择金属元素Cd作为Ga2Te3热电半导体内部的添加元素，该热电半导体的化学式为(Ga2Te3)(CdTe)x，该热电半导体是在真空石英管内熔炼合成，将单质元素Ga、Te和Cd置于真空石英管内，合成温度为950～1150℃，合成时间为20～28小时，然后将真空石英管内的(Ga2Te3)(CdTe)x铸锭随炉冷却至700～900℃后立即在水中淬火，将淬火后的(Ga2Te3)(CdTe)x铸锭粉碎、球磨，球磨后的粉末经放电等离子火花烧结制成块体，烧结温度为350～550℃，烧结压力为40～60MPa，烧结后的块体材料在真空石英管内退火2500～3000小时，退火温度为300～400℃。
3.根据权利要求2所述的中温用Ga2Te3基热电半导体的制备方法，其特征是所述(Ga2Te3)(CdTe)x在真空石英管内熔炼的合成温度择优为1100℃，烧结温度择优为450℃，烧结压力择优为50MPa。
4.根据权利要求2所述的中温用Ga2Te3基热电半导体的制备方法，其特征是将所述烧结后的块体材料在真空石英管内退火择优为2880小时，退火温度择优为390℃。
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