[发明专利]功率封装模块及制造该功率封装模块的方法

权利要求书

1.一种功率封装模块，该功率封装模块包括：

基底；

多个高功率芯片，该多个高功率芯片安装在所述基底上，从而电连接到所述基底；

多个低功率芯片，该多个低功率芯片安装在所述基底上，从而电连接到所述基底；以及

多个金属导板，该多个金属导板将所述多个高功率芯片和所述多个低功率芯片电连接到所述基底。

2.根据权利要求1所述的功率封装模块，其中，所述多个高功率芯片和所述多个低功率芯片以交替的方式连续地安装在所述基底上。

3.根据权利要求1所述的功率封装模块，其中，所述金属导板将以交替的方式连续地安装在所述基底上的所述两个高功率芯片和所述两个低功率芯片电连接到所述基底。

4.根据权利要求1所述功率封装模块，其中，所述金属导板包括：

高功率芯片连接部，该高功率芯片连接部连接到所述高功率芯片；

低功率芯片连接部，该低功率芯片连接部连接到所述低功率芯片；

基底连接部，该基底连接部连接到所述基底；

第一连接部，该第一连接部将所述高功率芯片连接部连接到所述基底连接部；

第二连接部，该第二连接部将所述低功率芯片连接部连接到所述基底连接部；以及

第三连接部，该第三连接部将所述高功率芯片连接到所述低功率芯片。

5.根据权利要求4所述的功率封装模块，其中，所述高功率芯片设置有用于连接导线的槽。

6.根据权利要求4所述的功率封装模块，其中，所述第一连接部、所述第二连接部和所述第三连接部具有弯曲部。

7.根据权利要求1所述的功率封装模块，其中，所述高功率芯片为绝缘栅双极型晶体管，并且所述低功率芯片为二极管。

8.根据权利要求1所述的功率封装模块，该功率封装模块还包括：

壳体，该壳体围绕所述基底的外周面和侧面；

传导件，该传导件设置在所述壳体内并且电连接到所述基底；

模制部，该模制部填充在所述基底内，以便覆盖安装在所述基底上的所述高功率芯片、所述低功率芯片和所述金属导板；以及

盖，该盖覆盖所述模制部。

9.根据权利要求1所述的功率封装模块，该功率封装模块还包括结合层，该结合层将所述金属导板电连接到所述基底、所述高功率芯片和所述低功率芯片。

10.根据权利要求9所述的功率封装模块，其中，所述结合层为焊接层。

11.一种制造功率封装模块的方法，该制造功率封装模块的方法包括：

制备基底；

安装多个高功率芯片和多个低功率芯片，该多个高功率芯片和多个低功率芯片电连接到所述基底；以及

在所述基底上安装多个金属导板，该多个金属导板将所述多个高功率芯片和所述多个低功率芯片连接到所述基底。

12.根据权利要求11所述的制造功率封装模块的方法，其中，制备所述基底还包括，通过阳极氧化金属层而形成阳极氧化层以及在所述阳极氧化层的一个表面上形成电路层，以形成作为阳极氧化基片的所述电路层。

13.根据权利要求11所述的制造功率封装模块的方法，其中，所述高功率芯片为绝缘栅双极型晶体管，并且所述低功率芯片为二极管。

14.根据权利要求11所述的制造功率封装模块的方法，该制造功率封装模块的方法还包括：

形成围绕所述基底的外周面和侧面的壳体，并且在所述壳体上安装连接到所述基底的传导件；

安装填充在所述壳体内的模制部，以便覆盖安装在所述基底上的所述多个高功率芯片、所述多个低功率芯片和所述多个金属导板；以及

在所述模制部上安装盖。

15.根据权利要求11所述的制造功率封装模块的方法，其中，安装所述多个高功率芯片和所述多个低功率芯片还包括：

通过丝网印刷法在所述基底上安装结合层；以及

将通过所述结合层电连接到所述基底的所述多个高功率芯片和所述多个低功率芯片安装在所述基底上。

16.根据权利要求15所述的制造功率封装模块的方法，其中，所述结合层为焊接层。