[发明专利]垂直式有机薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种垂直式有机薄膜晶体管，其特征在于，包含：

一基板；

一源极层，设置于该基板表面；

一第一图案化绝缘层，设置于该源极层上，并暴露出该源极层的一局部表面；

一图案化闸极层，对应设置于该第一图案化绝缘层上；

一第二图案化绝缘层，具有一预定厚度，该第二图案化绝缘层覆盖于该图案化闸极层及该第一图案化绝缘层，并暴露出该局部表面；

一有机半导体层，覆盖于该第二图案化绝缘层及该局部表面；以及

一汲极层，设置于该有机半导体层上，

其中该有机半导体层作为该源极层和汲极层之间的一垂直通道。

2.根据权利要求第1项所述的垂直式有机薄膜晶体管，其特征在于，其中该第二图案化绝缘层的预定厚度介于10奈米至2微米之间。

3.根据权利要求第1项所述的垂直式有机薄膜晶体管，其特征在于，其中该第二图案化绝缘层为一无机绝缘层。

4.根据权利要求第3项所述的垂直式有机薄膜晶体管，其特征在于，其中该无机绝缘层的材料为氮化硅或氧化硅。

5.根据权利要求第1项所述的垂直式有机薄膜晶体管，其特征在于，其中该第一图案化绝缘层为一有机绝缘层。

6.根据权利要求第3项所述的垂直式有机薄膜晶体管，其特征在于，其中该有机绝缘层的材料为聚酰亚胺(PI)或氟化聚合物(CYTOP)。

7.一种垂直式有机薄膜晶体管的制作方法, 其特征在于，其包括下列步骤：

利用一第一膜仁在一基板上压印出一源极层；

利用一第二膜仁在该源极层上压印出一第一图案化绝缘层，该第一图案化绝缘层覆盖该源极层但暴露出该源极层的一局部表面；

利用该第二膜仁在该第一图案化绝缘层上压印出一图案化闸极层；

利用一光罩制程形成具有一预定厚度的一第二图案化绝缘层，该第二图案化绝缘层覆盖于该图案化闸极层及该第一图案化绝缘层，并暴露出该源极层的该局部表面；

利用该第三膜仁在该第二图案化绝缘层及该局部表面上压印出一有机半导体层；以及

利用该第三膜仁在该有机半导体层上压印出一汲极层。

8.根据权利要求第7项所述的垂直式有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，其中压印是以软印刷成型制程实施。

9.根据权利要求第7项所述的垂直式有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，其中该第一、第二及第三膜仁的材料是为镍或聚二甲基硅氧烷。

10.根据权利要求第7项所述的垂直式有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，其中该光罩制程是一掀去法。