[发明专利]一种制备氧化镓一维亚微米结构紫外传感器的方法

权利要求书

1.一种制备氧化镓一维亚微米结构紫外传感器的方法，其特征在于：该方法具体步骤如下：

步骤一：首先将金属镓放于SiC衬底上，然后将载有金属镓的SiC衬底放于管式炉中的加热区域，常压下封闭管式炉两端；开始升温，加热区域升温速率控制在10℃/min；

步骤二：在加热区域的温度到达500℃之前，给管式炉内通入流量为100ml/分钟的氩气，并继续加热；待温度升至900-1000℃时，开始保温1-3小时；

步骤三：冷却至室温，即得到白色絮状产物——氧化镓Ga₂O₃一维亚微米结构；

步骤四：在显微镜下，利用半导体探针将已经制备成功的在SiC基底上的Ga₂O₃一维亚微米结构单根或者多根挑出并置于传感器基底上；

步骤五：将该传感器基底上的全部Ga₂O₃一维亚微米结构利用金属掩模压实在基底上并固定，并利用磁控溅射或者热蒸发镀膜装置蒸镀Au或Ag制作电极；

步骤六：将已经制作好的电极连接导线，并使用半导体器件封装专用胶水进行封装，保证导线，电极和Ga₂O₃一维亚微米结构的良好接触，此即完成氧化镓一维亚微米结构紫外传感器的制备。

2.根据权利要求所述的一种制备氧化镓一维亚微米结构紫外传感器的方法，其特征在于：步骤五中所述的利用磁控溅射制作电极时的技术参数为：工作腔室气压低于8.0×10-⁴Pa；极低温度为室温，固定不动；溅射功率为68W；靶基距为9.5cm；溅射持续时间为290-310s。

3.根据权利要求所述的一种制备氧化镓一维亚微米结构紫外传感器的方法，其特征在于：步骤五中所述的利用热蒸发镀膜装置制作电极时的技术参数为：工作腔室气压低于5.0×10-³Pa；基底温度为室温，转速15转/分钟；金属钼舟蒸发电流100A；基底与蒸发源距离39cm；蒸发持续时间170-190s。