[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，所述衬底具有用于在其上形成功能器件的第一表面和与该第一表面相反的第二表面；

其中，所述衬底具有贯穿该衬底的第一表面和第二表面的贯穿孔，所述贯穿孔在所述第二表面的开口比该贯穿孔在所述第一表面的开口大。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中

在所述贯穿孔中填充有导电材料。

3.一种半导体器件的制造方法，包括：

从衬底的一侧对衬底进行蚀刻以形成孔的第一部分；

在所述孔的第一部分的内表面上形成缓冲层；

对所述缓冲层的底部进行蚀刻以露出下方的衬底，并且对所露出的衬底进行蚀刻以形成凹陷作为孔的第二部分；

对所述孔的第二部分进行各向同性蚀刻。

4.如权利要求3所述的方法，还包括：

将填充材料填充在所述孔中。

5.如权利要求3所述的方法，还包括：

在将填充材料填充在所述孔中之前，在通过所述各向同性蚀刻所产生的蚀刻界面上形成氧化物。

6.如权利要求3所述的方法，其中

经所述各向同性蚀刻后的所述第二部分的与衬底表面平行的至少一个孔截面的面积大于所述第一部分的在所述一侧的衬底表面处的与所述衬底表面平行的孔截面的面积。

7.如权利要求3所述的方法，还包括：

从与所述衬底的所述一侧相反的另一侧部分地去除所述衬底和所述填充材料，使得露出经所述各向同性蚀刻后的所述第二部分中填充的填充材料。

8.如权利要求7所述的方法，还包括：

从衬底的所述另一侧去除所填充的填充材料，从而在衬底中形成贯穿衬底的贯穿孔，所述贯穿孔在所述另一侧的开口比该贯穿孔在所述一侧的开口大。

9.如权利要求8所述的方法，还包括：

在去除所填充的填充材料之前，在所述衬底的所述一侧上形成功能器件。

10.如权利要求8所述的方法，还包括：

从衬底的所述另一侧向所述贯穿孔中填充导电材料。

11.如权利要求10所述的方法，还包括：

使所填充的导电材料的表面与所述衬底的所述另一侧的表面齐平。