[发明专利]一种整流装置、整流方法以及其相应的电压变换系统

权利要求书

1.一种整流装置(103、303)，其包括：

第一整流器(1031)；

第二整流器(1032)；

其中，所述第一和第二整流器具有不同的负载/效率特性；

切换单元(1033)，用于根据该整流装置的负载情况切换第一整流器或第二整流器实际工作。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述切换单元根据CPU的指示切换所述第一整流器或所述第二整流器实际工作。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述CPU的指示由CPU根据与所述整流装置的负载相关联的、整个设备的运行状态而确定。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

检测单元(3034)，用于检测实际工作的第一整流器或第二整流器当前的实际负载，并根据所述实际负载控制所述切换单元切换所述第一整流器或所述第二整流器实际工作，

所述负载包括所述第一整流器或所述第二整流器的输出电流、电压以及功率中的至少任一项。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述负载/效率特性描述了所述第一整流器或所述第二整流器在不同负载处的效率，

在负载小于一临界点的情况下，所述第一整流器的效率高于所述第二整流器；

而在负载大于所述临界点的情况下，所述第二整流器的效率较高。

所述检测单元存储了所述临界点，

当所述实际负载未超过所述临界点时，所述检测单元指示所述切换单元切换所述第一整流器实际工作，

当所述实际负载超过所述临界点时，所述检测单元指示所述切换单元切换所述第二整流器实际工作。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，其特征在于，所述第一整流器包括二极管非同步整流器，所述第二整流器包括金属氧化物半导体场效应晶体管同步整流器，

所述第一整流器与所述第二整流器并联，所述切换单元包括与所述第二整流器串联、在所述第二整流器的并联支路上的开关；

所述开关打开时，所述第一整流器实际工作；否则，所述第二整流器实际工作。

7.一种电压变换系统，其包括：

DC/DC变换器(101)；

变压器(102)；

根据权利要求1至6中任一项所述的整流装置(103、303)；

其中，所述DC/DC变换器的输出端与所述变压器的输入端连接，而所述变压器的输出端与所述整流装置连接。

8.一种整流方法，其包括如下步骤：

提供第一整流器；

提供第二整流器，其中，所述第一整流器与第二整流器具有不同的负载/效率特性；

根据该整流装置的负载情况，切换第一整流器或第二整流器实际工作。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述切换步骤包括：

根据与所述整流装置的负载相关联的、整个设备的运行状态切换所述第一整流器或所述第二整流器实际工作。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括如下步骤：

检测实际工作的第一整流器或第二整流器当前的实际负载；

所述切换步骤包括：

根据所述实际负载切换所述第一整流器或所述第二整流器实际工作，

所述负载包括所述第一整流器或所述第二整流器的输出电流、电压以及功率中的至少任一项。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述负载/效率特性描述了所述第一整流器或所述第二整流器在不同负载处的效率，在负载小于一临界点的情况下，所述第一整流器的效率高于所述第二整流器；而在负载大于所述临界点的情况下，所述第二整流器的效率较高；

所述切换步骤进一步包括：

比较所述实际负载和所述临界点：当所述实际负载未超过所述临界点时，切换所述第一整流器实际工作；当所述实际负载超过所述临界点时，切换所述第二整流器实际工作。

12.根据权利要求8至11中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一整流器包括二极管非同步整流器，所述第二整流器包括金属氧化物半导体场效应晶体管同步整流器。

13.一种电话机，其特征在于，包括根据权利要求7所述的电压变换系统。