[发明专利]AMOLED的像素单元电路及有机发光显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种像素电路及其驱动方法，尤其涉及一种AMOLED像素电路及其驱动方法。

背景技术

有机发光显示装置（OLED）是发射型装置，具有反应速度较快、视角宽、对比度高、亮度高、低温特性好等优点。此外，由于OLED不需要背光，可以被制造得质量轻、小型化且更省电，相比于TFT LCD可以省下占TFT LCD 3~4成比重的背光模块成本。除此之外，OLED可以在低压下驱动。

有机发光显示装置（OLED）可以用被动矩阵（PM）驱动，也可以用主动矩阵驱动（AM）。相比PM驱动，AM驱动具有显示的信息容量较大，功耗较低，器件寿命长，画面对比度高等优点。而PM驱动适用于低成本的、简单的显示器件。

在玻璃基板上制作的用于AM驱动OLED的器件，目前有两种，即非晶硅（a-Si）薄膜晶体管（TFT）与低温多晶硅（LTPS）TFT。

TFT器件长期工作在直流电压偏置状态下，会发生器件特性的漂移。如果不采取某种措施处理这种漂移，利用发生特性漂移的器件驱动OLED，会导致OLED电流下降，显示器件亮度降低，器件过早失效。

在AMOLED中驱动OLED的TFT在工作过程中长期处于电压或电流偏置状态，会发生特性漂移。通常对于阈值电压VTH会升高。因此，在AMOLED中必须进行特殊的处理，以应对TFT器件衰减问题。抑制器件特性漂移问题的重要的方法之一是设计像素补偿电路。

图1为现有TFT阵列中像素等效电路示意图。包括驱动晶体管DTFT，三个开关晶体管Sw1、Sw2、Sw3，存储电容Cst和有机发光二极管OLED。该电路利用预充电、阈值设定与发光三个阶段完成驱动。如图1所标注(1)、(2)分别是第一、第二阶段，一帧时间内除去第一、第二阶段的其他时间为第三阶段。第一阶段起到预充电的作用，信号TNO与GN同时为高电位，TFT Sw3与Sw2打开，DTFT的栅极由VDD通过Sw3与Sw2充电至足够高的电压。在第二阶段，TNO变为低电位，Sw3关闭，DTFT栅极通过两个TFT Sw2与DTFT向Sw1的源电极（即二极管阳极）放电。由于DAT信号通过Sw1传输到Sw1的源极（即二极管阳极），DTFT放电至其栅极电压达到VDAT+VTH为止，此时，DTFT栅极电压VG=VDAT+VTH存储于Cst上。在第一、第二阶段，OLED阴极CTD为高电压，OLED不发光。到第三阶段，CTD变为低电压，DTFT开始工作与饱和态，向OLED提供电流。在特性发生漂移时，DTFT的阈值电压由VTH变为VTH’，由于经过补偿，VG变为VDAT+VTH’，因此对DTFT提供的电流值基本没有影响，从而起到了补偿阈值电压VTH漂移的作用。

由上可知，现有AMOLED的像素单元电路由于在大面积玻璃基板上TFT（薄膜晶体管）阈值电压不一致，要采用补偿电路来补偿阈值电压的漂移，图1是一个典型的采用补偿电路的像素电路，目前有各种各样采用补偿电路的像素电路；复杂的补偿电路会占用较大面积，降低开口率，此外现有的AMOLED电路要保持写入后的灰度数据，需要较大面积的存储电容，也会进一步降低开口率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种AMOLED的像素单元电路及有机发光显示装置，增加像素开口率、提高显示质量。

本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种AMOLED的像素单元电路，包括电源线VDD、数据线Data、第一行扫描线Gate、第二行扫描线Row_Gate、有机发光二极管Rd和可编程电阻Rr，所述第一行扫描线Gate和第二行扫描线Row_Gate上的信号相反；

第一开关晶体SW_0，包括栅极、第二电极和第三电极，第一开关晶体SW_0的栅极和第二行扫描线Row_Gate相连，控制有机发光二极管Rd读出像素灰度数据进行显示保持；

第二开关晶体管SW_1和第三开关晶体管SW_2，每个开关晶体管包括栅极、第二电极和第三电极，第二开关晶体管SW_1和第三开关晶体管SW_2的栅极和第一行扫描线Gate相连，控制数据线Data上电压对可编程电阻Rr写入像素灰度数据；

其中，所述可编程电阻Rr的一端和第一开关晶体SW_0的第三电极、第二开关晶体管SW_1的第三电极相连在一起；另一端和第三开关晶体管SW_2的第二电极、有机发光二极管Rd的阳极相连在一起；所述第一开关晶体SW_0和电源线VDD相连；所述第二开关晶体SW_1的第二电极和数据线Data相连；所述第三开关晶体管SW_2的第三电极和有机发光二极管Rd的阴极相连。