[发明专利]一种半导体芯片封装结构有效
申请号: | 201110175505.8 | 申请日: | 2011-06-27 |
公开(公告)号: | CN102856304A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 李宝霞;万里兮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L23/14;H01L23/00 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 王建国 |
地址: | 100029 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 芯片 封装 结构 | ||
1.一种半导体芯片封装结构,其特征在于,包括:
至少一个芯片封装基板和/或至少一个插入板;
所述芯片封装基板上设有电磁带隙结构;
所述插入板上设有电磁带隙结构。
2.根据权利要求1所述一种半导体芯片封装结构,其特征在于:
所述封装基板上设有至少一个平面型电源分配层;
所述插入板上设有至少一个平面型电源分配层。
3.根据权利要求1所述一种半导体芯片封装结构,其特征在于:
所述封装基板上设有至少两个相互层叠的平面型电源分配层;
所述插入板上设有至少两个相互层叠的平面型电源分配层。
4.根据权利要求2或3所述一种半导体芯片封装结构,其特征在于:
所述平面型电源分配层包括至少两个相互电绝缘的子平面型电源分配层;
每一个所述子平面型电源分配层承载一个供电电压。
5.根据权利要求2或3所述一种半导体芯片封装结构,其特征在于:
所述平面型电源分配层由一地平面、一电源平面和一高介电常数介质层构成;
所述高介电常数介质层位于所述地平面和所属电源平面之间;
每一个所述平面型电源分配层承载一个供电电压。
6.根据权利要求2或3所述一种半导体芯片封装结构,其特征在于:
所述平面型电源分配层由两个地平面、一个电源平面和两个高介电常数介质层构成;
所述两个地平面、一个电源平面和两个高介电常数介质层按照地平面、高介电常数介质层、电源平面、高介电常数介质层、地平面依次排列;
每一个所述平面型电源分配层承载一个供电电压。
7.根据权利要求4所述一种半导体芯片封装结构,其特征在于:
所述平面型电源分配层或所述子平面型电源分配层上设有一个电磁带隙结构;
所述电磁带隙结构的形状包括直线形、直角型或方框型;
所述电磁带隙结构在平面型电源分配层或所述子平面型电源分配层上的分布位置包括顶部、中部或底部;所述电磁带隙结构将所述平面型电源分配层或所述子平面型电源分配层分成两个区域;其中一个区域作为电源馈入或馈出所述芯片封装基板或所述插入板的馈电点区域;另一个区域作为所述芯片封装基板或所述插入板向其所承载的芯片馈给电源的馈电点区域;
所述作为所述芯片封装基板或所述插入板向其所承载的芯片馈给电源的馈电点的区域面积大于所述作为电源馈入或馈出所述芯片封装基板或所述插入板的馈电点的区域面积;
所述作为所述芯片封装基板或所述插入板向其上芯片馈给电源的馈电点的区域的电源平面和地平面是连续的。
8.根据权利要求5所述一种半导体芯片封装结构,其特征在于:
所述平面型电源分配层上设有一个电磁带隙结构;
所述电磁带隙结构的形状包括直线形、直角型或方框型;
所述电磁带隙结构在平面型电源分配层上的分布位置包括顶部、中部或底部;所述电磁带隙结构将所述平面型电源分配层分成两个区域;其中一个区域作为电源馈入或馈出所述芯片封装基板或所述插入板的馈电点区域;另一个区域作为所述芯片封装基板或所述插入板向其所承载的芯片馈给电源的馈电点区域;
所述作为所述芯片封装基板或所述插入板向其所承载的芯片馈给电源的馈电点的区域面积大于所述作为电源馈入或馈出所述芯片封装基板或所述插入板的馈电点的区域面积;
所述作为所述芯片封装基板或所述插入板向其上芯片馈给电源的馈电点的区域的电源平面和地平面是连续的。
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