[发明专利]发光二极管元件、其制作方法以及发光装置有效

专利信息
申请号: 201110175574.9 申请日: 2011-06-27
公开(公告)号: CN102856460A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 陈世鹏;薛清全;林立凡;廖文甲 申请(专利权)人: 台达电子工业股份有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/20;H01L33/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 元件 制作方法 以及 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种发光二极管元件,用以安装至一预定表面,所述发光二极管元件包含:

一半导体叠层体,具有一大致垂直所述预定表面的发光有源层、以及位于所述发光有源层两相反侧的一第一半导体层及一第二半导体层;

一第一电极,邻近所述第一半导体层并电连接所述第一半导体层,所述第一电极具有一面对所述预定表面的第一端面;以及

一第二电极,邻近所述第二半导体层并电连接所述第二半导体层,所述第二电极具有一面对所述预定表面的一第二端面,且所述第一端面大致对齐于所述第二端面,所述第一端面与所述第二端面大致位于同一平面,其中,所述第一电极及所述第二电极位于所述半导体叠层体的相反两侧。

2.根据权利要求1所述的发光二极管元件,其特征在于,还包含一邻接所述第一半导体层的透光基板,且所述第一电极经由所述透光基板电连接所述第一半导体层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管元件,其特征在于,所述透光基板邻接所述第一半导体层的表面为一粗化面。

4.根据权利要求2所述的发光二极管元件,其特征在于,还包含一邻接所述第二半导体层的透光绝缘层,所述透光基板具有一露出所述第一半导体层的第一穿孔,所述透光绝缘层具有一露出所述第二半导体层的第二穿孔,所述第一电极经由所述第一穿孔连接所述第一半导体层,所述第二电极经由所述第二穿孔连接所述第二半导体层。

5.根据权利要求2所述的发光二极管元件,其特征在于,还包含一覆盖所述半导体叠层体的透光绝缘层,且所述透光基板为一透光导电基板,所述透光绝缘层具有一露出所述第二半导体层的穿孔,所述第一电极经由所述透光导电基板电连接所述第一半导体层,所述第二电极经由所述穿孔连接所述第二半导体层。

6.根据权利要求4或5所述的发光二极管元件,其特征在于,所述第二半导体层邻接所述透光绝缘层的表面为一粗化面。

7.根据权利要求4或5所述的发光二极管元件,其特征在于,还包含邻接所述半导体叠层体的另一半导体叠层体。

8.根据权利要求4或5所述的发光二极管元件,其特征在于,还包含一环绕地设置于所述半导体叠层体外围的透光披覆层。

9.根据权利要求2所述的发光二极管元件,其特征在于,所述透光基板为供所述半导体叠层体直接外延成长于其上的一成长基板。

10.一种发光装置,用以安装至一预定表面,所述发光装置包含:

至少两个发光二极管元件,间隔地设置于所述预定表面,各所述发光二极管元件包含一半导体叠层体、一第一电极、以及一第二电极,所述半导体叠层体具有一大致垂直所述预定表面的发光有源层、以及位于所述发光有源层两相反侧的一第一半导体层及一第二半导体层,所述第一电极邻近所述第一半导体层并电连接所述第一半导体层,所述第一电极具有一面对所述预定表面的第一端面,所述第二电极邻近所述第二半导体层并电连接所述第二半导体层,所述第二电极具有一面对所述预定表面的一第二端面,且所述第一端面大致对齐于所述第二端面,所述第一端面与所述第二端面大致位于同一平面,其中,所述第一电极及所述第二电极位于所述半导体叠层体的相反两侧;以及

一导光层,设置于所述预定表面上且位于所述发光二极管元件之间,所述导光层具有一出光面以及分别位于所述出光面两相反侧的两个入光面,所述入光面分别面对相邻两个发光二极管元件。

11.根据权利要求10所述的发光装置,其特征在于,还包含一邻接所述第一半导体层的透光基板,且所述第一电极经由所述透光基板电连接所述第一半导体层。

12.根据权利要求11所述的发光装置,其特征在于,所述透光基板邻接所述第一半导体层的表面为一粗化面。

13.根据权利要求11所述的发光装置,其特征在于,所述发光二极管元件还包含一邻接所述第二半导体层的透光绝缘层,所述透光基板具有一露出所述第一半导体层的第一穿孔,所述透光绝缘层具有一露出所述第二半导体层的第二穿孔,所述第一电极经由所述第一穿孔连接所述第一半导体层,所述第二电极经由所述第二穿孔连接所述第二半导体层。

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