[发明专利]辐射探测用的卤化物闪烁体

权利要求书

1.含单晶的闪烁体材料，所述单晶具有下式的组成，

A₃MBr_6(1-x)Cl_6x，0≤x≤1

其中A基本由Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合组成，和M基本由Ce、Sc、Y、La、Lu、Gd、Pr、Tb、Yb、Nd或其任意组合组成。

2.根据权利要求1的闪烁体材料，其中A基本由Cs组成，和M基本由Ce组成。

3.根据权利要求2的闪烁体材料，当用662keV的γ-射线激发时，具有是BGO光输出的至少约4倍的光输出。

4.根据权利要求1的闪烁体材料，其中x＜1。

5.根据权利要求4的闪烁体材料，其中x基本上是0。

6.根据权利要求1的闪烁体材料，其中0＜x＜1。

7.含单晶的闪烁体材料，所述单晶具有下式的组成：

AM₂Br_7(1-x)Cl_7x，0≤x≤1，

其中A基本由Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合组成，和M基本由Ce、Sc、Y、La、Lu、Gd、Pr、Tb、Yb、Nd或其任意组合组成。

8.根据权利要求7的闪烁体材料，其中A基本由Cs组成，和M基本由Ce组成。

9.根据权利要求7的闪烁体材料，当用662keV的γ-射线激发时，具有是BGO光输出的至少约4倍的光输出。

10.根据权利要求7的闪烁体材料，其中x＜1。

11.根据权利要求10的闪烁体材料，其中x基本上是0。

12.根据权利要求7的闪烁体材料，其中0＜x＜1。

13.制备闪烁体材料的方法，所述方法包括：

合成具有下式的组成的化合物，

A₃MBr_6(1-x)Cl_6x，0≤x≤1

其中A基本由Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合组成，而M基本由Ce、Sc、Y、La、Lu、Gd、Pr、Tb、Yb、Nd或其任意组合组成；和

利用Bridgman方法由该合成的化合物生长单晶。

14.根据权利要求13的方法，其中所述合成步骤包括将多种卤化物的混合物加热至超过它们各自的熔融温度。

15.制备闪烁体材料的方法，所述方法包括：

合成具有下式的组成的化合物，

AM₂Br_7(1-x)Cl_7x，0≤x≤1

其中A基本由Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合组成，而M基本由Ce、Sc、Y、La、Lu、Gd、Pr、Tb、Yb、Nd或其任意组合组成；和

利用Bridgman方法由该合成的化合物生长单晶。

16.根据权利要求15的方法，其中所述合成步骤包括将多种卤化物的混合物加热至超过它们各自的熔融温度。

17.辐射探测器，包含：

权利要求1的闪烁体材料，其适合响应于冲击辐射产生光子；和

光耦合到所述闪烁体材料的光子探测器，其经设置以接收通过该闪烁体材料产生的光子和适合于产生指示该光子生成的电信号。

18.成像方法，包括：

使用至少一个权利要求13的辐射探测器以接收来自分布于待成像物体中的多个辐射源的辐射和产生指示所接收的辐射的多个信号；和

基于所述多个信号，推出所述物体特性的特定分布。

19.辐射探测器，包含：

权利要求7的闪烁体材料，其适合响应于冲击辐射产生光子；和

光耦合到所述闪烁体材料的光子探测器，其经设置以接收通过所述闪烁体材料产生的光子和适合于产生指示该光子生成的电信号。

20.成像方法，包括：

使用至少一个权利要求13的辐射探测器以接收来自分布于待成像物体中的多个辐射源的辐射和产生指示所接收的辐射的多个信号；和

基于所述多个信号，推出所述物体特性的特定分布。