[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

栅极电极；

源极电极和漏极电极，在垂直方向上与所述栅极电极隔开并且在水平方向上彼此隔开；

栅极绝缘层，设置在所述栅极电极与所述源极电极和漏极电极之间；

有源层，设置在所述栅极绝缘层与所述源极电极和漏极电极之间，

其中有源层由导电氧化层形成并且包括至少两层，该至少两层根据掺杂到导电氧化物层中的杂质而具有不同导电率。

2.权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述有源层由沿厚度方向具有不同组成的氧化锌形成。

3.权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述有源层包括具有高导电率的前沟道区和具有比该前沟道区低的导电率的块状区和后沟道区中的至少一个。

4.权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述前沟道区是通过用In和Ga、Hf和In、或In来掺杂所述导电氧化物层来形成的。

5.权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述块状区由未掺杂杂质的金属氧化物层形成。

6.权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述后沟道区是通过用Ga、Hf、Sn、和Al来掺杂所述金属氧化物层来形成的。

7.权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述前沟道区形成在所述栅极电极一侧，所述块状区或所述后沟道区形成在所述源极电极和漏极电极一侧。

8.权利要求3所述的薄膜晶体管，其中

所述前沟道区形成在所述栅极电极一侧，

所述后沟道区形成在所述源极电极和漏极电极一侧，以及

所述块状区形成在所述前沟道区与所述后沟道区之间。

9.一种制造薄膜晶体管的方法，包括：

准备基板；

在所述基板上形成栅极电极以及源极电极和漏极电极，以使其在垂直方向上彼此隔开；

在所述栅极电极与所述源极电极和漏极电极之间形成栅极绝缘层；以及

在所述栅极绝缘层与所述源极电极和漏极电极之间形成有源层，

其中所述有源层由导电氧化物形成并且包括至少两层，该至少两层根据掺杂到导电氧化物层中的杂质而具有不同导电率。

10.权利要求9所述的方法，其中所述有源层包括具有高导电率的前沟道区以及具有比前沟道区低的导电率的块状区和后沟道区中的至少一个。

11.权利要求10所述的方法，其中所述前沟道区、所述块状区、和所述后沟道区是原位形成的。

12.权利要求11所述的方法，其中

所述前沟道区是通过原子层沉积来形成的；

所述块状区是通过化学气相沉积来形成的；以及

所述后沟道区是通过原子层沉积或化学气相沉积来形成的。