[发明专利]一种多光纤被动相位锁定激光器

权利要求书

1.一种多光纤被动相位锁定激光器，其特征在于：该激光器包括透射耦合器(1)、第一至第N有源单模光纤(21、22、……、2N)、第一反射镜(31)、第二反射镜(32)、第三反射镜(33)、反射耦合器(4)和第一至第N泵浦源(51、52、……、5N)；

所述透射耦合器(1)为一旋转体，其透射面垂直于轴线，透射耦合器的熔接环面(11)与透射耦合器的透射面(12)成45°，透射耦合器的透射面(12)镀全反膜，然后，在透射面(12)上刻截面为等腰直角三角形的第一至第M环形透射凹槽(121、122、……12M)；

所述反射耦合器(4)为一旋转体，其反射面垂直于轴线，反射耦合器的熔接环面(41)与反射耦合器的反射面(42)成45°，反射耦合器的反射面(42)上刻截面为等腰直角三角形的第一至第M环形反射凹槽(421、422、……42M)，然后在反射面(42)上镀全反膜；

第一至第M环形反射凹槽(421、422、……42M)均为全反面，深度均相同，相邻环形反射凹槽的间距与环形反射凹槽的宽度相同；

第一至第M环形透射凹槽(121、122、……12M)深度均相同，相邻环形透射凹槽的间距与环形透射凹槽的宽度相同；

第一至第N有源单模光纤(21、22、……、2N)的一端熔接在透射耦合器熔接环面(11)上，沿透射耦合器轴线轴线对称分布于过轴线的N/4M个截面内，每个截面内的4M根光纤关于轴线对称分布，熔接位置在过截面与透射耦合器熔接环面(11)相交的两条直线上；

第一至第N有源单模光纤(21、22、……、2N)的另一端熔接在反射耦合器熔接环面(41)上，沿反射耦合器轴线轴线对称分布于过轴线的N/4M个截面内，每个截面内的4M根光纤关于轴线对称分布，熔接位置在过截面与反射耦合器熔接环面(41)相交的两条直线上；

所述第一至第N有源单模光纤(21、22、……、2N)的一端均与透射耦合器熔接环面(11)熔接，熔接位置与透射耦合器的透射面(12)上环形透射凹槽的对应关系为：

第一有源单模光纤(21)一端的纤芯对准第一环形透射凹槽(121)的侧面，与透射耦合器的熔接环面上的第一熔接位置(1121)熔接，第二有源单模光纤(22)一端的纤芯对准第一环形透射凹槽(121)的侧面，与透射耦合器熔接环面上的第二熔接位置(1122)熔接，第三有源单模光纤(23)一端的纤芯对准第二环形透射凹槽(122)的侧面，与透射耦合器熔接环面上的第三熔接位置(1123)熔接，第四有源单模光纤(24)一端的纤芯对准第二环形透射凹槽(122)的侧面，与透射耦合器熔接环面上的第四熔接位置(1124)熔接，……，第4M有源单模光纤(24M)一端的纤芯对准第一环形透射凹槽(121)的侧面，与透射耦合器熔接环面上的第4M熔接位置(1124M)熔接，第4M+1有源单模光纤(24M+1)一端的纤芯对准第一环形透射凹槽(121)的侧面，与透射耦合器熔接环面上的第4M+1熔接位置(1124M+1)熔接，……，第8M有源单模光纤(28M)一端的纤芯对准第一环形透射凹槽(121)的侧面，与透射耦合器熔接环面上的第8M熔接位置(1128M)熔接，……，第N-4M+1有源单模光纤(2N-4M+1)一端的纤芯对准第一环形透射凹槽(121)的侧面，与透射耦合器熔接环面上的第N-4M+1熔接位置(112N-4M+1)熔接，……，第N有源单模光纤(2N)一端的纤芯对准第一环形透射凹槽(121)的侧面，与透射耦合器熔接环面上的第N熔接位置(112N)熔接；

所述第一至第N有源单模光纤(21、22、……、2N)的另一端均与反射耦合器熔接环面(41)熔接，熔接位置与反射耦合器的反射面(42)上环形反射凹槽的对应关系为：

第二有源单模光纤(22)另一端的纤芯对准第一环形反射凹槽(421)的侧面，与反射耦合器的熔接环面上的第二熔接位置(412)熔接，第三有源单模光纤(23)另一端的纤芯对准第一环形反射凹槽(421)的侧面，与反射耦合器熔接环面上的第三熔接位置(4123)熔接，第四有源单模光纤(24)另一端的纤芯对准第二环形反射凹槽(422)的侧面，与反射耦合器熔接环面上的第四熔接位置(4124)熔接，第五有源单模光纤(25)另一端的纤芯对准第二环形反射凹槽(422)的侧面，与反射耦合器熔接环面上的第五熔接位置(4125)熔接，……，第4M+1有源单模光纤(24M+1)另一端的纤芯对准第一环形反射凹槽(421)的侧面，与反射耦合器熔接环面上的第4M+1熔接位置(4124M+1)熔接，第4M+2有源单模光纤(24M+2)另一端的纤芯对准第一环形反射凹槽(421)的侧面，与反射耦合器熔接环面上的第4M+2熔接位置(4124M+2)熔接，……，第8M+1有源单模光纤(28M+1)另一端的纤芯对准第一环形反射凹槽(421)的侧面，与反射耦合器熔接环面上的第8M+1熔接位置(4128M+1)熔接，……，第N-4M+2有源单模光纤(2N-4M+2)另一端的纤芯对准第一环形反射凹槽(421)的侧面，与反射耦合器熔接环面上的第N-4M+2熔接位置(412N-4M+2)熔接，……，第N有源单模光纤(2N)另一端的纤芯对准第一环形反射凹槽(421)的侧面，与反射耦合器熔接环面上的第N熔接位置(412N)熔接，第一有源单模光纤(21)另一端的纤芯对准第一环形反射凹槽(421)的侧面，与反射耦合器熔接环面上的第一熔接位置(4121)熔接；

N＝2～1008的偶数，M是整数，M是N/4的约数；

所述第一至第三反射镜(31、32、33)均为全反镜，并与透射耦合器(1)的轴线共线，所述第一反射镜(31)紧贴透射耦合器(1)的透射面(11)、所述第二反射镜(32)置于第三反射镜(33)的焦距上；

第一反射镜(31)为一圆台，圆台锥角为46°，圆台侧面镀全反膜，第二反射镜(32)为凸面镜，凸面镀全反膜，第三反射镜(33)为中心带孔的凹面镜，凹面镀全反膜，第一至第三反射镜(31、32、33)均由纯石英材料制成。