[发明专利]一种SnO2花状结构纳米材料及其水热制备方法

权利要求书

1.一种SnO₂花状结构纳米材料，其特征在于，该材料为三维花状纳米线簇，其花蕾由共球心沿半径方向排列的单晶SnO₂纳米线构成，所述纳米线直径为90~400nm，纳米线长度为950~1200nm，纳米线长径比为3.00~10.56。

2.权利要求1所述的SnO₂花状结构纳米材料的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

（1）将SnCl₄·5H₂O和NaOH分别溶于去离子水；将SnCl₄溶液在4~25℃条件下搅拌，搅拌过程中将NaOH溶液滴入SnCl₄溶液中，得到锡离子[Sn⁴⁺]浓度为0.1mol/L~0.3mol/L，氢氧根离子[OH^-]浓度为0.9mol/L~3.3mol/L，氢氧根离子与锡离子摩尔浓度之比[OH^-]/[Sn⁴⁺]=9~11：1的前驱体溶液；或者

将SnCl₄·5H₂O和表面活性剂溶于去离子水得到混合溶液，所述表面活性剂为聚丙烯酰胺，该混合溶液中聚丙烯酰胺与锡离子的摩尔浓度之比[PAM] /[Sn⁴⁺]小于0.0003%；将所述混合溶液在4~25℃条件下搅拌，搅拌过程中将NaOH溶液滴入混合溶液，得到锡离子[Sn⁴⁺]浓度为0.1mol/L~0.3mol/L，氢氧根离子[OH^-]浓度为0.9mol/L~3.3mol/L，氢氧根离子与锡离子摩尔浓度之比[OH^-]/[Sn⁴⁺]=9~11：1的前驱体溶液；

（2）将步骤（1）的前驱体溶液转移到反应釜中密封，反应釜的填充度为70%，在190℃~200℃下保温8~12h；

（3）反应结束后降至室温，将反应所得产物用去离子水和无水乙醇反复洗涤并过滤，直到滤液pH=7，在60℃下烘干过滤后的产物，得到花状结构SnO₂纳米材料。