[发明专利]蓄电装置及其制造方法

权利要求书

1.一种蓄电装置的制造方法，包括以下步骤：

在集电体上形成硅层；

在所述硅层上涂敷含有锂和有机物质的溶液；以及

进行热处理，从而对所述硅层中引入锂并形成附连到所述硅层的表面的碳层，

其中，所述热处理在500℃以上且700℃以下的温度执行，

并且，通过所述热处理，所述硅层的一个表面具有比所述硅层的更靠近所述集电体一侧更高的锂浓度。

2.根据权利要求1所述的蓄电装置的制造方法，

其中所述硅层包括多个晶体硅的须状物。

3.一种蓄电装置的制造方法，包括以下步骤：

在集电体上形成硅层；

在所述硅层上涂敷其中分散有含有锂的粒子并且包含有机物质的液体；以及

进行热处理，从而对所述硅层中引入锂并形成附连到所述硅层的表面的碳层，

其中，所述热处理在500℃以上且700℃以下的温度执行，

并且，通过所述热处理，所述硅层的一个表面具有比所述硅层的更靠近所述集电体一侧更高的锂浓度。

4.根据权利要求3所述的蓄电装置的制造方法，

其中所述硅层包括多个晶体硅的须状物。

5.一种蓄电装置，包括：

负极，其包括负极集电体以及在该负极集电体上的负极活性物质；

附连到所述负极活性物质的表面的碳层；以及

与所述负极对置的正极，在该正极与所述负极之间设有电解质，

其中，所述负极活性物质包括含有硅与锂的合金，

所述负极活性物质的第二部分的锂浓度比所述负极活性物质的第一部分高，

并且，所述第二部分比所述第一部分更接近所述负极活性物质的外表面。

6.根据权利要求5所述的蓄电装置，

其中所述负极活性物质包含多个粒子。

7.根据权利要求5所述的蓄电装置，

其中所述负极活性物质包含晶体硅的须状物。

8.根据权利要求5所述的蓄电装置，还包括在所述负极活性物质的表层部中的导电层。

9.根据权利要求8所述的蓄电装置，

其中所述导电层包含铜、镍、钛、锰、钴、铝、镁和铁中的至少一种。

10.根据权利要求5所述的蓄电装置，

其中在对所述蓄电装置进行制造该蓄电装置之后的初次充放电之前，所述负极活性物质的所述第二部分具有比所述负极活性物质的所述第一部分高的锂浓度。

11.一种蓄电装置，包括：

负极，其包括负极集电体以及在该负极集电体上的负极活性物质；

附连到所述负极活性物质的表面的碳层；以及

与所述负极对置的正极，该正极与所述负极之间设有电解质，

其中，所述负极活性物质为膜状，

所述负极活性物质包括含有硅与锂的合金，

并且，所述负极活性物质的表层部具有比所述负极活性物质的靠近所述负极集电体的一侧高的锂浓度。

12.根据权利要求11所述的蓄电装置，

其中所述负极活性物质包含晶体硅的须状物。

13.根据权利要求11所述的蓄电装置，还包括在所述负极活性物质的所述表层部中的导电层。

14.根据权利要求13所述的蓄电装置，

其中所述导电层包含铜、镍、钛、锰、钴、铝、镁和铁中的至少一种。

15.根据权利要求11所述的蓄电装置，

其中在对所述蓄电装置进行制造该蓄电装置之后的初次充放电之前，所述负极活性物质的所述表层部具有比所述负极活性物质的靠近所述负极集电体的一侧高的锂浓度。