[发明专利]阻止过镀的双层薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种阻止过镀的双层薄膜，其特征在于：所述的双层薄膜中，紧邻硅衬底前表面的一层为氧化硅或氮化硅薄层，在所述的氧化硅或氮化硅薄层上面的一层为含碳的硅氧化合物薄层，所述的含碳的硅氧化合物薄层中碳的原子含量为5-10％。

2.根据权利要求1所述的一种阻止过镀的双层薄膜，其特征在于：所述的含碳的硅氧化合物薄层的折射系数为1.3-1.4。

3.根据权利要求1所述的一种阻止过镀的双层薄膜，其特征在于：所述含碳的硅氧化合物薄层的厚度为20-200nm。

4.制备权利要求1-3任何一项所述阻止过镀的双层薄膜的方法，其特征在于，所述的制备方法包括以下步骤：

步骤1，对硅衬底进行织绒，扩散，去边清洗，然后在清洗后的硅衬底的前表面沉积氧化硅或氮化硅薄层；

步骤2，在所述的氮化硅或氧化硅薄层上喷涂或者旋涂聚硅氧烷基电介质溶液；

步骤3，对喷涂或者旋涂聚硅氧烷基电介质溶液之后的硅衬底在N₂或者空气中退火，退火温度400-500℃，时间30-60分钟，形成含碳的硅氧化合物薄膜。

5.根据权利要求4所述的双层薄膜制备方法，其特征在于：在进行所述的步骤3之前对所述硅衬底置于热板上在温度200℃下烘干，烘干时间为30秒。

6.一种硅太阳能电池，其特征在于：所述的硅太阳能电池包括所述的双层薄膜；所述硅太阳能电池从太阳光照射面，即前表面起向下排列顺序依次为：双层薄膜、前电极、n⁺发射极、p型硅区域、局域背电场p⁺、背电极。