[发明专利]成膜装置

权利要求书

1.一种作为摆动式磁控管溅射装置的成膜装置，在真空槽内将在第1面配置了靶材料的靶电极和在第1面配置了基板的基板电极相对配置，借助于在上述靶电极的第2面上所配置的磁控管在上述靶材料的一部分发生磁控管等离子体，通过使上述磁控管在上述靶电极的第2面上扫描，对上述靶电极材料进行溅射并在上述基板上成膜靶材料，所述成膜装置的特征在于：

在与上述靶材料之间配置用于封闭磁控管等离子体的可动式屏蔽电极，

上述可动式屏蔽电极的上述靶材料侧为开口并且在上述基板侧具有在封闭面内使来自磁控管等离子体的溅射粒子通过的缝隙，

对上述基板的成膜是首先使上述磁控管和上述可动式屏蔽电极同步进行溅射成膜，接下来使可动式屏蔽电极在靶区域外进行待机，使磁控管进行扫描以进行溅射成膜。

2.一种作为摆动式磁控管溅射装置的成膜装置，在真空槽内将在第1面配置了靶材料的第1及第2靶电极和在第1面配置了基板的第1及第2基板电极相对配置，借助于在上述第1及第2靶电极的第2面上所配置的第1及第2磁控管在上述第1及第2靶电极的一部分发生磁控管等离子体，通过在上述第1及第2靶电极的背面使上述第1及第2磁控管进行扫描，对上述第1及第2靶材料进行溅射并在被配置于上述第1基板电极的上述第1基板成膜上述第1靶材料，在被配置于上述第2基板电极的上述第2基板成膜上述第2靶材料，所述成膜装置的特征在于：

在与上述第1或者第2靶材料之间配置用于封闭磁控管等离子体的可动式屏蔽电极，

上述可动式屏蔽电极的上述第1或者第2的靶材料侧为开口、并且在上述第1或者第2的基板侧具有在封闭面内使来自磁控管等离子体的溅射粒子通过的缝隙，

在对上述第1靶材料使上述第1磁控管和上述可动式屏蔽电极同步扫描进行第1溅射成膜之际，对上述第2靶不使用上述可动式屏蔽电极利用上述第2磁控管进行扫描以进行第2溅射成膜，

接下来将上述可动式屏蔽电极移动到上述第2靶电极侧，在对上述第2靶材料使上述第2磁控管和上述可动式屏蔽电极同步扫描进行第1溅射成膜之际，对上述第1靶材料不使用上述可动式屏蔽电极使上述第1磁控管进行扫描以进行第2溅射成膜。

3.按照权利要求1或者2所记载的成膜装置，其特征在于：与上述第1溅射成膜相比较，上述第2溅射成膜高速地进行成膜。