[发明专利]减少表面电场的结构及横向扩散金氧半导体元件

权利要求书

1.一种横向扩散金氧半导体元件，包括：

具有一第一导电型的一基底；

具有一第二导电型的一外延层，位于该基底上；

具有该第一导电型的一井区，位于该外延层中；

具有该第二导电型的一深井区，位于该外延层中；

具有该第二导电型的一源极区，位于该井区中；

具有该第二导电型的一漏极区，位于该深井区中；

一隔离结构，位于该深井区上；

一栅极，位于该漏极区以及该源极区之间的该外延层上并延伸至部分该隔离结构上；

至少一沟渠绝缘结构，位于该隔离结构下方的该深井区中；以及

具有该第一导电型的至少一掺杂区，位于该深井区中且环绕该沟渠绝缘结构的侧壁及底面。

2.根据权利要求1所述的横向扩散金氧半导体元件，其中还包括具有该第二导电型的一埋层，位于该深井区下方的该基底中。

3.根据权利要求2所述的横向扩散金氧半导体元件，其中该掺杂区与该隔离结构及该埋层实体连接。

4.根据权利要求2所述的横向扩散金氧半导体元件，其中该掺杂区与该隔离结构实体连接，但未与该埋层实体连接。

5.根据权利要求1所述的横向扩散金氧半导体元件，其中该掺杂区与该隔离结构及该基底实体连接。

6.根据权利要求1所述的横向扩散金氧半导体元件，其中该掺杂区与该隔离结构实体连接，但未与该基底实体连接。

7.根据权利要求1所述的横向扩散金氧半导体元件，其中该沟渠绝缘结构的材料包括氧化硅。

8.根据权利要求1所述的横向扩散金氧半导体元件，其中该隔离结构包括场氧化物结构或浅沟渠隔离结构。

9.根据权利要求1所述的横向扩散金氧半导体元件，其中还包括具有该第一导电型的一基体区，位于该井区中。

10.根据权利要求1所述的横向扩散金氧半导体元件，其中还包括一栅氧化层，位于该栅极与该外延层之间。

11.根据权利要求1所述的横向扩散金氧半导体元件，其中该第一导电型为P型，该第二导电型为N型；或该第一导电型为N型，该第二导电型为P型。

12.一种减少表面电场的结构，包括：

具有一第一导电型的一基底；

具有一第二导电型的一深井区，位于该基底中；

一隔离结构，位于该基底上；以及

至少一沟渠绝缘结构，位于该隔离结构下方的该深井区中；以及

具有该第一导电型的至少一掺杂区，位于该深井区中且环绕该沟渠绝缘结构的侧壁及底面。

13.根据权利要求12所述的减少表面电场的结构，其中还包括具有该第二导电型的一埋层，位于该深井区下方的该基底中。

14.根据权利要求13所述的减少表面电场的结构，其中该掺杂区与该隔离结构及该埋层实体连接。

15.根据权利要求13所述的减少表面电场的结构，其中该掺杂区与该隔离结构实体连接，但未与该埋层实体连接。

16.根据权利要求12所述的减少表面电场的结构，其中该掺杂区与该隔离结构及该基底实体连接。

17.根据权利要求12所述的减少表面电场的结构，其中该掺杂区与该隔离结构实体连接，但未与该基底实体连接。

18.根据权利要求12所述的减少表面电场的结构，其中该沟渠绝缘结构的材料包括氧化硅。

19.根据权利要求12所述的减少表面电场的结构，其中该隔离结构包括场氧化物结构或浅沟渠隔离结构。

20.根据权利要求12所述的减少表面电场的结构，其中该第一导电型为P型，该第二导电型为N型；或该第一导电型为N型，该第二导电型为P型。