[发明专利]单晶/多晶硅片多线切割自动脱胶方法及其装置

权利要求书

1.一种单晶/多晶硅片多线切割自动脱胶装置，包括粘接于连接板上待脱胶的工件（硅片），其特征在于：还包括一可容纳悬置工件（硅片）的承载框架，所述的承载框架包括底板、分别设置于前侧面、后侧面与定位工件（硅片）配合的挡板，所述的前侧面、后侧面的两挡板上设有间隔穿插于工件（硅片）间的定位插条，所述的连接板悬置于承载框架上，所述的粘接于连接板上待脱胶的工件（硅片）底部相对于底板悬空，所述的底板上铺设有工件（硅片）脱胶后下落的缓冲层。

2.如权利要求1所述的单晶/多晶硅片多线切割自动脱胶装置，其特征在于：所述的承载框架前侧面、后侧面所设的两挡板设有若干对应的插槽，所述的定位插条定位于插槽内。

3.如权利要求1所述的单晶/多晶硅片多线切割自动脱胶装置，其特征在于：所述的承载框架上设有提把。

4.如权利要求3所述的单晶/多晶硅片多线切割自动脱胶装置，其特征在于：所述的提把设置于承载框架的前、后两端。

5.如权利要求1所述的单晶/多晶硅片多线切割自动脱胶装置，其特征在于：所述的连接板上设有把手。

6.一种单晶/多晶硅片多线切割自动脱胶的方法，其特征在于：其步骤为

1)将粘接于连接板上待脱胶的工件（硅片）悬挂于一可容纳悬置工件（硅片）的承载框架上，并与承载框架前侧面、后侧面分别所设的工件（硅片）配合的挡板配合，工件（硅片）底部悬空于铺设缓冲层的底板上；

2)待脱胶的工件（硅片）悬置于承载框架上后，从工件（硅片）两侧起，间隔穿插设置定位插条，定位插条定位于承载框架前侧面、后侧面的两挡板上；

3)将上一步的悬挂有工件（硅片）的承载框架放入预冲洗槽，用水喷淋冲洗10~15分钟至排出水无黑色污染物；

4)将上一步预冲洗好的悬挂有工件（硅片）的承载框架放入加热脱胶槽，在水与乳酸配制的混合液中加热浸泡并完成自动脱胶，脱胶后工件（硅片）下落至底板所铺设的缓冲层上。

7.如权利要求6所述的单晶/多晶硅片多线切割自动脱胶的方法，其特征在于：所述的承载框架前侧面、后侧面所设的两挡板设有若干对应的插槽，所述的定位插条定位于插槽内。

8.如权利要求6所述的单晶/多晶硅片多线切割自动脱胶的方法，其特征在于：所述的承载框架上设有提把，所述的提把设置于承载框架的前、后两端。

9.如权利要求6所述的单晶/多晶硅片多线切割自动脱胶的方法，其特征在于：所述的连接板上设有把手。

10.如权利要求6所述的单晶/多晶硅片多线切割自动脱胶的方法，其特征在于：所述的缓冲层为铺设于底板上的海绵体。