[发明专利]一种肖特基二极管

权利要求书

1.一种肖特基二极管，其特征在于该肖特基二极管的结构包括： 

第一导电类型的重掺杂半导体构成的第一区域；

第一金属构成的导电阴极，邻接于第一区域的下表面；

第一导电类型的轻掺杂半导体构成的第二区域，覆盖于第一区域的上表面；

两条竖直沟槽，相对地位于第二区域的左右两侧，沟槽底部呈现圆弧形状；

第一种介质构成的第三区域，覆盖于前述的两条沟槽内除第二区域顶部平台外的第二区域的上表面；

第二种金属构成的导电阳极，覆盖于第三区域的上表面，及第二区域未被第三区域覆盖的上表面。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述的第一导电类型为N型。

3.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述的重掺杂半导体的掺杂浓度在5×10¹⁷ cm^-3以上。

4. 如权利要求1、2或所述的肖特基二极管，其特征在于，所述的轻掺杂半导体的掺杂浓度在5×10¹⁷ cm^-3以下。

5.如权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述的轻掺杂半导体的掺杂浓度是均匀分布，或者是线性分布，或者是阶梯分布，或者是类高斯分布，或者是任意分布。

6. 如权利要求1、2、3或5所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二区域的宽度大于0.1 μm，小于20 μm。

7.如权利要求6所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第三区域的厚度大于0.1 μm，小于2 μm。

8.如权利要求1、2、3、5或7所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二区域和第三区域中包含的圆弧曲率半径分别大于0.1 μm，小于2 μm。