[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成绝缘膜；

在第一条件下将氢和沉积气体导入到第一处理室中来在所述绝缘膜上形成种子：氢的第一流量为所述沉积气体的第一流量的5.0×10¹倍以上且1.0×10³倍以下；并且所述第一处理室中的第一压力为5.0×10^-1Torr以上且1.0×10²Torr以下；以及

在第二条件下将氢和所述沉积气体导入到第二处理室中来在所述种子上形成微晶半导体膜：所述沉积气体的第二流量在第一值和第二值之间周期性地变化；并且所述第二处理室中的第二压力为1.0×10²Torr以上且1.0×10³Torr以下，

其中，所述第一值相当于所述沉积气体的所述第一流量，

并且，所述第二值比所述第一值低。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第二条件下氢的流量为一定的值并相当于氢的所述第一流量。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一值为所述第二值的1.0×10¹倍以上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一处理室与所述第二处理室彼此不同。

5.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成栅电极；

在所述衬底和所述栅电极上形成栅极绝缘膜；

在第一条件下将氢和沉积气体导入到第一处理室中来在所述栅极绝缘膜上形成种子：氢的第一流量为所述沉积气体的第一流量的5.0×10¹倍以上且1.0×10³倍以下；并且所述第一处理室中的第一压力为5.0×10^-1Torr以上且1.0×10²Torr以下；

在第二条件下将氢和所述沉积气体导入到第二处理室中来在所述种子上形成微晶半导体膜：所述沉积气体的第二流量在第一值和第二值之间周期性地变化；并且所述第二处理室中的第二压力为1.0×10²Torr以上且1.0×10³Torr以下；

在所述微晶半导体膜上形成半导体膜；

对所述种子的一部分、所述微晶半导体膜的一部分和所述半导体膜的一部分进行蚀刻来形成半导体叠层体；以及

在所述半导体叠层体上形成布线，

其中，所述第一值相当于所述沉积气体的所述第一流量，

并且，所述第二值比所述第一值低。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在所述第二条件下氢的流量为一定的值并相当于氢的所述第一流量。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一值为所述第二值的1.0×10¹倍以上。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一处理室与所述第二处理室彼此不同。

9.根据权利要求5所述的方法，还包括如下步骤：对所述半导体叠层体的侧表面进行等离子体处理，而在所述半导体叠层体的所述侧表面上形成隔壁区。

10.根据权利要求5所述的方法，还包括如下步骤：

在所述布线、所述半导体叠层体和所述栅极绝缘膜上形成绝缘膜；以及

在所述绝缘膜上形成背栅电极。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述栅电极与所述背栅电极彼此电连接。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述背栅电极处于电浮动状态。