[发明专利]具有低腐蚀性的化学机械平面化组合物和方法有效
申请号: | 201110179928.7 | 申请日: | 2011-06-24 |
公开(公告)号: | CN102337081A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 史晓波;R·M·佩尔斯泰恩 | 申请(专利权)人: | 杜邦纳米材料气体产品有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;H01L21/3105 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 吴亦华;徐志明 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 腐蚀性 化学 机械 平面化 组合 方法 | ||
1.一种组合物,包含:
a)选自氰脲酸酯、异氰脲酸酯和草酸或其盐的化合物;
b)研磨剂;和
c)氧化剂。
2.根据权利要求1的组合物,还包含选自螯合剂和络合剂的化合物。
3.根据权利要求1或2的组合物,还包含表面活性剂。
4.根据权利要求1-3中任一项的组合物,其中,所述化合物是氰脲酸酯或异氰脲酸酯,优选是异氰脲酸酯,更优选是1,3,5-三(2-羟基-C1-C4-烷基)异氰脲酸酯,且甚至更优选是1,3,5-三(2-羟乙基)异氰脲酸酯。
5.根据权利要求1-3中任一项的组合物,其中,所述化合物是草酸或草酸盐。
6.一种用于对在其上具有至少一个包含阻挡层材料的结构元件的表面进行化学机械平面化的方法,所述方法包括以下步骤:
A)使包括在其上具有至少一个包含阻挡层材料的结构元件的表面的衬底接触抛光垫;
B)输送抛光组合物,其包含:
a)选自氰脲酸酯、异氰脲酸酯和草酸或其盐的化合物;
b)研磨剂;和
c)氧化剂;
以及
C)用该抛光组合物抛光衬底。
7.根据权利要求6的方法,其中,所述阻挡层材料选自钽和氮化钽。
8.根据权利要求6或7的方法,其中,所述氧化剂是过氧化氢。
9.根据权利要求6-8中任一项的方法,其中,所述抛光组合物的pH为7.1-12,优选为9.5至11.8。
10.根据权利要求6-9中任一项的方法,其中,所述化合物是异氰脲酸酯,优选是1,3,5-三(2-羟基-C1-C4-烷基)异氰脲酸酯。
11.一种用于对在其上具有至少一个包含金属的结构元件的表面进行化学机械平面化的方法,所述方法包括以下步骤:
A)使包括在其上具有至少一个包含金属材料的结构元件的表面的衬底接触抛光垫;
B)输送抛光组合物,其包含:
a)选自氰脲酸酯、异氰脲酸酯和草酸或其盐的化合物;
b)研磨剂;和
c)氧化剂;
以及
C)用该抛光组合物抛光衬底。
12.根据权利要求11的方法,其中,所述金属选自钽、铜和钨。
13.根据权利要求11或12的方法,其中,所述氧化剂是过氧化氢。
14.一种组合物,包含:
a)异氰脲酸酯;
b)研磨剂;和
c)氧化剂;
其中,所述抛光组合物的pH值为7.1-12。
15.根据权利要求14的组合物,其中,所述异氰脲酸酯是1,3,5-三(2-羟基-C1-C4-烷基)异氰脲酸酯。
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