[发明专利]陶瓷电子部件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110179955.4 申请日: 2011-06-24
公开(公告)号: CN102394173A 公开(公告)日: 2012-03-28
发明(设计)人: 谷口晋;栗本哲;德光慎太郎;柳桥龙玄;柳田美幸;阿部寿之 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01G4/232 分类号: H01G4/232;H01G4/30;H01G4/38
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 电子 部件 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及陶瓷电子部件及其制造方法。

背景技术

最近,电子机器的小型化、高性能化在不断地发展,伴随于此,陶瓷电子部件的小型化及集成化的要求越来越高。在这样的情况下,作为陶瓷部件,在一个芯片内装入多个元件的阵列型陶瓷电子部件受人注目。作为这样的阵列型的陶瓷电子部件,例如,可以列举芯片内具有多个电容元件的电容阵列。

这样的阵列型的陶瓷电子部件,通常在侧面具有3个以上的端子电极。该端子电极通常按如下工序形成。首先,向银及钯等的贵金属混合粉末或者铜及镍等的贱金属的混合粉末添加玻璃料,从而调制导体膏。其次,将导体膏涂布并烧成于陶瓷素体上从而作为底电极,在所得到的底电极上通过电镀法实施镀Ni、镀Sn等。通过以上的工序,形成烧成型的端子电极。例如,专利文献1(日本特开平9-275046号公报)中公开有如下技术,弹性体的凹部中填充导体膏后,将该弹性体按压在电子部件的一个面上,从而将导体膏转至电子部件,形成端子电极。

发明内容

然而,如上述那样,制造阵列型的陶瓷电子部件时,如果仅使用导体膏而形成端子电极,则端子电极的尺寸和形状难以精度较高地调整,如果发展小型化,制品的尺寸规格难以满足的担忧存在。另外,这样的阵列型的陶瓷电子部件中,端子电极的厚度容易产生偏差,会造成缺乏安装稳定性。因此,谋求一种即使发展小型化,也具有出色的安装稳定性的阵列型的陶瓷电子部件。

本发明鉴于上述情况,其目的为提供一种陶瓷电子部件,其具有出色的尺寸精度且厚度的偏差被充分抑制的端子电极。

本发明提供一种陶瓷电子部件,其是阵列型的陶瓷电子部件,具备:在一个侧面中埋设有内部电极的陶瓷素体以及该陶瓷素体上的多个端子电极,其中,端子电极具有通过烧成导体生片而形成的电极层。

这样的阵列型的陶瓷电子部件具备端子电极,所述端子电极具有通过烧成导体生片而形成的电极层(以下称为“第1电极层”),该导体生片为具有规定形状的片状的电极材料。因此,与具备仅使用导体膏而形成的端子电极的陶瓷电子部件相比,能够抑制端子电极的厚度的偏差并且提高尺寸精度。

上述陶瓷电子部件中的端子电极,优选为在第1电极层和陶瓷素体之间,进一步具有烧成导体膏而形成的电极层(以下称为“第2电极层”)。该第2电极层有助于第1电极层和陶瓷素体的密着性的提高。通过具备具有这样的第2电极层的端子电极,能够提高阵列型的陶瓷电子部件的信赖性。

本发明的陶瓷电子部件,优选为在陶瓷素体的棱部上,第1电极层以覆盖第2电极层的全体的方式设置。由此,能够通过烧成导体生片而形成的第1电极层来保护通常容易破损的陶瓷素体的棱部。此外,在第1电极层上形成镀膜的时候,能够充分抑制镀液向陶瓷素体浸入。由此,能够进一步提高阵列型的陶瓷电子部件的信赖性。

本发明的陶瓷电子部件,优选为在陶瓷素体的主面以及侧面的至少一个面上,第1电极层以覆盖第2电极层的一部分的方式设置。由此,与第1电极层以覆盖第2电极层的全体的情况相比,能够抑制基于各电极层的烧成性不同的收缩率之差所产生的应力,并且能够抑制第1电极层和第2电极层之间的剥离的产生、和端子电极中的裂缝的产生等。因此,能够进一步提高阵列型的陶瓷电子部件的信赖性。

本发明的陶瓷电子部件能够由如下制造方法制造,例如,具备埋设有内部电极的陶瓷素体以及该陶瓷素体上的多个端子电极的阵列型的陶瓷电子部件的制造方法,具有:在陶瓷素体上贴付导体生片的贴付工序;在陶瓷素体的表面上形成端子电极的烧成工序。

根据这样的阵列型的陶瓷电子部件的制造方法,由于使用具有规定形状(厚度,长度,宽度)的导体生片而形成端子电极,因此能够抑制端子电极的厚度的偏差并且提高尺寸精度。

上述的陶瓷电子部件的制造方法,优选为在贴付工序前具有在陶瓷素体上附着导体膏的附着工序。然后,优选为在贴付工序中,在导体膏上贴付导体生片,并在烧成工序中,将导体生片和导体膏烧成而形成端子电极。由此,能够提高端子电极和陶瓷素体的密着性,提高陶瓷电子部件的信赖性。

根据本发明,能够提供一种具备端子电极的阵列型的陶瓷电子部件,所述端子电极具有出色的尺寸精度并且能够充分抑制厚度的偏差。

附图说明

图1为作为本发明的陶瓷电子部件的优选实施方式的层叠电容器阵列的立体图。

图2为包含于图1的层叠电容器阵列的电容器素体的分解立体图。

图3为图1所示的层叠电容器阵列的III-III线截面图。

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