[发明专利]一种集成化电场微传感器无效
| 申请号： | 201110179958.8 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102854402A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 陈新安;沈浩颋 | 申请（专利权）人： | 上海谷昊电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12;B81B3/00 |
| 代理公司： | 上海世贸专利代理有限责任公司 31128 | 代理人： | 叶克英 |
| 地址： | 201506*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成化 电场 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成化电场微传感器，其特征在于：由两个耗尽型绝缘体上硅电场直接栅金属氧化物半导体管按串联方式组成，其沟道长度、沟道宽度、沟道载流子浓度都相同，沟道厚度各异，两个耗尽型绝缘体上硅电场直接栅金属氧化物半导体管由相同工艺集成在同一芯片上。
2.根据权利要求1所述的一种集成化电场微传感器，其特征在于：第一耗尽型绝缘体上硅电场直接栅金属氧化物半导体管的源极接地电源地（Vss），第二耗尽型绝缘体上硅电场直接栅金属氧化物半导体管的漏极接电源（Vdd），第一耗尽型绝缘体上硅电场直接栅金属氧化物半导体管的漏极和第二耗尽型绝缘体上硅电场直接栅金属氧化物半导体管的源极相连接点作为信号电压的输出端（Vout）。
3.根据权利要求1所述的一种集成化电场微传感器，其特征在于：两个耗尽型绝缘体上硅电场直接栅金属氧化物半导体管为耗尽型n沟道绝缘体上硅电场直接栅金属氧化物半导体管。
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