[发明专利]双面受光的全钝化结构晶体硅太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种双面受光的全钝化结构晶体硅太阳能电池，其特征是：在太阳能电 池的正面和背面都形成钝化层(1)，正面和背面的钝化层(1)表面制备减反射 层(2)，在背面减反射层(2)的表面制备可导电的透明导电膜(3)，在电池片 的正面和背板的预设区域通过电极(5)出电流。

2.一种双面受光的全钝化结构晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是： 具体制成方法为：

1.硅片绒面制备；

2.硅片掺杂形成P-N结；

3.背结刻蚀；

4.正、背面钝化层制备；

5.正、背面减反射层制备；

6.背面透明导电膜沉积；

7.正、背面电极制备；

8.电池退火。