[发明专利]表面有序孔阵列化的氧化锌纳米片薄膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110180304.7 申请日: 2011-06-28
公开(公告)号: CN102851736A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 李越;段国韬;刘广强;戴正飞;蔡伟平 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: C30B29/16 分类号: C30B29/16;C30B29/64;C30B7/14;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230031*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 表面 有序 阵列 氧化锌 纳米 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种表面有序孔阵列化的氧化锌纳米片薄膜,由基底上覆有其上的有序孔阵列化的薄膜组成,其特征在于:

所述薄膜由站立的氧化锌纳米片相互连接构成;

所述氧化锌纳米片的片长为2~6μm、片高为1~6μm、片厚为300~1000nm,片的顶部或上侧面为阵列化的有序孔;

所述有序孔的孔直径为100nm~5μm。

2.根据权利要求1所述的表面有序孔阵列化的氧化锌纳米片薄膜,其特征是阵列化的有序孔为六方排列。

3.一种权利要求1所述表面有序孔阵列化的氧化锌纳米片薄膜的制备方法,采用热分解法,其特征在于完成步骤如下:

步骤1,先将由球直径为100nm~5μm的聚苯乙烯胶体球组成的单层胶体晶体模板置于基底上,再将浓度为0.6~0.8mol/L的硝酸锌水溶液滴加于附有单层胶体晶体模板的基底上,得到其上覆有硝酸锌水溶液和单层胶体晶体模板的基底;

步骤2,先将其上覆有硝酸锌水溶液和单层胶体晶体模板的基底于室温下干燥,再将其置于80~120℃下加热0.8~1.2h后,以0.9~1.1℃/min的升温速率将温度升至380~420℃,并在此温度下加热至少3h,制得表面有序孔阵列化的氧化锌纳米片薄膜。

4.根据权利要求3所述的表面有序孔阵列化的氧化锌纳米片薄膜的制备方法,其特征是基底为导电体基底,或半导体基底,或绝缘体基底。

5.根据权利要求3所述的表面有序孔阵列化的氧化锌纳米片薄膜的制备方法,其特征是由80~120℃升温至380~420℃的升温速率为1℃/min。

6.根据权利要求3所述的表面有序孔阵列化的氧化锌纳米片薄膜的制备方法,其特征是于380~420℃下加热的时间为3~5h。

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