[发明专利]聚合物分散型液晶膜的驱动方法及直流电源驱动装置

权利要求书

1.一种聚合物分散型液晶膜的驱动方法，其特征在于：有一个驱动电路与所述聚合物分散型液晶膜的两个输入电极电连接，所述驱动电路施加在所述聚合物分散型液晶膜上的驱动电压是成正负交替变化的矩形波电压，所述驱动电压迅速过零并且不含直流分量；所述驱动电路输出的正半波驱动电压的前沿延时1－10微秒，所述驱动电路输出的负半波驱动电压的前沿延时1－10微秒；所述驱动电路包括波形信号发生电路、延时电路、驱动级和开关电路，所述驱动电路与一个直流电源电路电连接。

2.一种聚合物分散型液晶膜的直流电源驱动装置，其特征在于：所述直流电源驱动装置包括直流电源电路、升压电路和驱动电路；所述升压电路包括低电压输出电路和高电压输出电路；所述驱动电路包括波形信号发生电路、延时电路、驱动级和开关电路；所述直流电源电路的输出端分别与低电压输出电路和高电压输出电路的输入端电连接，所述低电压输出电路的输出端分别与所述波形信号发生电路、延时电路、驱动级电连接，所述高电压输出电路的输出端与所述开关电路电连接；所述波形信号发生电路输出端与所述延时电路的输入端电连接，所述延时电路的输出端与所述驱动级输入端电连接，所述驱动级的输出端与所述开关电路的输入端连接，所述开关电路中设置两个输出端子。

3.根据权利要求2所述的直流电源驱动装置，其特征在于：所述直流电源电路中设置锰锌干电池、碱性电池、锂电池、铅酸电池或USB接口，所述直流电源电路的输出电压为3-6V。

4.根据权利要求3所述的直流电源驱动装置，其特征在于：所述低电压输出电路为升压式DC/DC变换器，所述高电压输出电路包括DC/DC变换器和一可调电阻；所述低电压输出电路的输出电压为5-10V；所述高电压输出电路的输出电压为24-48V。

5.根据权利要求4所述的直流电源驱动装置，其特征在于：所述波形信号发生电路为单稳态振荡器，振荡频率为25-60Hz。

6.根据权利要求5所述的直流电源驱动装置，其特征在于：所述延时电路包括第一反相器和两个支路，延时电路的第一反相器的输入端与所述信号发生电路连接，延时电路的两个支路分别包括阻容、与非门和反相器，其中一个支路上设置第二反相器；所述延时电路的延时时间为1-10微秒。

7.根据权利要求6所述的直流电源驱动装置，其特征在于：所述驱动级包括两个晶体三极管和四个隔离光耦，通过隔离光耦驱动开关电路工作。

8.根据权利要求7所述的直流电源驱动装置，其特征在于：所述开关电路为全桥电路，包括四个场效应晶体管，其中两个是P沟道型场效应晶体管，另外两个是N沟道型场效应晶体管，P沟道型场效应晶体管Q1源极与所述高电压输出电路的输出端（正极端）电连接，P沟道型场效应晶体管Q1漏极与N沟道型场效应晶体管Q2漏极电连接，所述N沟道型场效应晶体管Q2源极接电源地；P沟道型场效应晶体管Q3源极与所述高电压输出电路的输出端（正极端）电连接，P沟道型场效应晶体管Q3漏极与N沟道型场效应晶体管Q4漏极电连接，N沟道型场效应晶体管Q4源极接电源地；所述P沟道型场效应晶体管Q1漏极与所述N沟道型场效应晶体管Q2漏极的节点与所述聚合物分散型液晶膜的一个输入电极电连接，所述P沟道型场效应晶体管Q3漏极与所述N沟道型场效应晶体管Q4漏极的节点与所述聚合物分散型液晶膜的另一个输入电极电连接；所述驱动级的四路隔离光耦对应的输出分别施加在所述晶体管Q1、Q2、Q3及 Q4的栅极—源极之间。

9.根据权利要求8所述的直流电源驱动装置，其特征在于：所述开关电路的输出电压为24-48V，频率为25-60Hz。