[发明专利]形成底部电极和相变电阻的方法有效
| 申请号： | 201110180750.8 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102856491A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 底部 电极 相变 电阻 方法 | ||
1.一种形成底部电极和相变电阻的方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成具有底部电极的第一介质层，所述底部电极的表面与所述第一介质层的表面相平；
在所述底部电极上依次形成中间层和帽层，覆盖所述底部电极；
以所述帽层为掩膜对所述中间层进行离子注入，在所述中间层形成具有掺杂离子的外侧部，所述外侧部之间的中间层为中间部；
去除所述帽层和所述外侧部；
以所述中间部为掩膜刻蚀所述底部电极，去除未被所述中间部遮盖的部分高度的底部电极，在剩余的底部电极和所述第一介质层之间形成凹槽；
去除所述中间部；
在所述凹槽内形成第二介质层，所述第二介质层的表面与所述第一介质层的表面相平；
在所述剩余的底部电极上形成相变电阻。
2.如权利要求1所述的形成底部电极和相变电阻的方法，其特征在于，所述中间层的材料为氮化硅，所述帽层的材料为多晶硅。
3.如权利要求1所述的形成底部电极和相变电阻的方法，其特征在于，在所述底部电极上依次形成中间层和帽层，覆盖所述底部电极包括：
形成中间层，覆盖所述第一介质层和所述底部电极；
形成帽层，覆盖所述中间层；
依次刻蚀所述帽层和中间层，去除所述第一介质层上的帽层和中间层。
4.如权利要求1所述的形成底部电极和相变电阻的方法，其特征在于，所述去除所述帽层和所述外侧部的方法为：利用湿法刻蚀去除所述帽层和所述外侧部。
5.如权利要求1所述的形成底部电极和相变电阻的方法，其特征在于，所述以所述中间部为掩膜刻蚀所述底部电极的方法为：以所述中间部为掩膜干法刻蚀所述底部电极。
6.如权利要求1所述的形成底部电极和相变电阻的方法，其特征在于，去除所述中间部的方法为湿法刻蚀。
7.如权利要求1所述的形成底部电极和相变电阻的方法，其特征在于，所述在所述凹槽内形成第二介质层，所述第二介质层的表面与所述第一介质层的表面相平包括：
形成第二介质层，填满所述凹槽且覆盖所述第一介质层、剩余的底部电极；
去除高出所述第一介质层表面的第二介质层，剩余所述凹槽内的第二介质层，使所述第二介质层的表面与所述第一介质层的表面相平。
8.如权利要求1所述的形成底部电极和相变电阻的方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为氧化硅。
9.如权利要求1所述的形成底部电极和相变电阻的方法，其特征在于，所述底部电极的材料为钨或铜或多晶硅。
10.如权利要求1所述的形成底部电极和相变电阻的方法，其特征在于，所述第二介质层的材料为氧化硅。
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