[发明专利]一种硅通孔封装方法

权利要求书

1.一种硅通孔封装方法，提供具有衬底和半导体器件层的晶片，所述衬底具有晶片器件面和与其相对的晶片背面，所述半导体器件层位于所述衬底的晶片器件面上，该方法包括，所述半导体器件层上沉积金属间电介质，在所述晶片的芯片区对应的所述金属间电介质中制作与所述半导体器件层电连接的金属连线和金属衬垫，其特征在于，该方法还包括：

从所述衬底的晶片背面依次刻蚀所述衬底、半导体器件层和金属间电介质，以所述金属衬垫作为刻蚀停止层，形成与所述金属衬垫相通的硅通孔；

所述硅通孔中填充金属形成导电通孔，制作与所述导电通孔电连接的焊球。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅通孔的直径范围是5到80微米。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀是干法刻蚀。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在从所述衬底的晶片背面依次刻蚀所述衬底之前，该方法还包括：化学机械研磨所述衬底的晶片背面。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，化学机械研磨后的所述衬底的厚度范围是50微米到200微米。