[发明专利]一种高频高Q值的片式多层陶瓷电容器

说明书

技术领域

本发明涉及一种高频高Q值的片式多层陶瓷电容器。

背景技术

片式多层陶瓷电容器MLCC是一种新型电子元器件，大量用于通讯、计算机、家用电器等消费类电子整机的表面贴装中。随着全球表面安装技术的迅速发展，表面安装组件的产量迅速上升，MLCC需求也不断上升。目前国内外生产高Q高频片式多层陶瓷电容器MLCC主要采用两种材料体系来实现：一种采用贵金属Ag/Pd或全Pd材料为内电极，端电极则是全Ag，而全钯材料的烧结温度相当高，烧结温度是1300～1360℃，这样必然导致生产成本过高的问题。另外一种采用金属铜为内电极材料体系，铜电极容易氧化，在生产上比较难控制，产品性能及合格率难以保证，这样必然导致生产成本过高的问题。

发明内容

  针对上述技术缺陷，本发明要解决的技术问题是提供一种生产成本低、实现工艺好控制、制作出高Q的片式多层陶瓷电容器。

本发明要解决的技术问题是通过以下技术方案实现：一种高Q值的片式多层陶瓷电容器的制备方法，它包括瓷浆制备、制作介质膜片、交替叠印内电极和介质层、坯块干燥、层压、切割、排胶、烧结、倒角、封端、烧端工序，所述的交替叠印内电极和介质层工序中，内电极材料是镍Ni，所述的封端工序中，端电极材料是铜Cu，在瓷浆制备中，所用的瓷料是Mg-Si-O₃体系材料，K值为30±2，该体系瓷料的颗粒度球形体或似球形体，比表面积为4.5～11.0%；所述排胶工艺是使用氮气排胶箱排胶450℃/17小时；所述烧结温度800℃～1030℃，在800℃开始至最高温段的升温速率控制在3-5℃/min；所述烧端最高温度是750～960℃。

进一步：在上述高Q值的片式多层陶瓷电容器的制备方法中，所述的交替叠印内电极和介质层工序中，内电极是采用铜粉粒度为0.1-0.25μm的铜浆印刷制成。所述的烧结曲线由升温段、高温烧成段、降温段、回火段组成，升温段和高温烧成段是在含H₂的N₂气氛保护下进行的，H₂重量含量控制在气氛总量的0.05%。而且低温段中N₂气氛中的氧含量要高于高温段的N₂气氛中的氧含量，低温段N₂气氛中的氧含量为50-400ppm，高温段N₂气氛中的氧含量为0-50ppm。

与现有技术相比，本发明的高Q值的片式多层陶瓷电容器的制备方法是在原有的贱金属镍高频多层陶瓷介质电容器生产的基础上，结合多年MLCC开发以及设计技术，通过瓷粉材料的选择、MLCC结构特殊设计、匹配内电极浆料的选择、端电极浆料匹配性选择、端电极烧结的研究和无铅电镀工艺，即氨基磺酸电镀体系的开发。实现了制作一种高Q片式多层陶瓷电容器，从而降低生产成本，提高生产工艺的可操作性。

具体实施方式

本发明的主旨是在原有的贱金属镍高频多层陶瓷介质电容器生产的基础上，结合多年MLCC开发以及设计技术，通过瓷粉材料选择、MLCC结构特殊设计、匹配内电极浆料的选择、端电极浆料匹配性选择、端电极烧结的工艺开发等等。实现了制作一种高Q片式多层陶瓷电容器，本发明降低了烧结温度、降低生产成本，提高生产工艺的可操作性。下面结合实施例对本发明的内容作进一步详述，实施例中所提及的内容并非对本发明的限定，制备方法中浆料制备、叠印、烧成、烧端、电镀等工艺条件的选择可因地制宜而对结果并无实质性影响。