[发明专利]LED磊晶结构

权利要求书

1.一种LED磊晶结构，包括一个基板、一个缓冲层以及一个磊晶层，所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述磊晶层成长在所述缓冲层的顶面，其特征在于：所述磊晶层包括一个第一N型磊晶层以及一个第二N型磊晶层，所述第一、二N型磊晶层之间形成一个阻挡层，所述阻挡层具有图型化沟槽设置，使所述第一、二N型磊晶层通过所述沟槽接触连接，所述第二N型磊晶层上依序成长一个发光层、一个P型磊晶层以及一个导电层。

2.如权利要求1所述的LED磊晶结构，其特征在于：所述导电层的顶面上具有一个P型电极设置，所述P型电极包括打线端以及延长端，所述打线端位于所述导电层的一个侧边上，所述延长端以图型化设置。

3.如权利要求2所述的LED磊晶结构，其特征在于：所述延长端与所述沟槽图型化相对应，并在所述磊晶层的顶面与内部交错设置。

4.如权利要求2所述的LED磊晶结构，其特征在于：所述P型电极的相对侧具有一个N型电极设置，所述N型电极设置于所述阻挡层或是所述第一N型磊晶层上。

5.如权利要求1所述的LED磊晶结构，其特征在于：所述基板为蓝宝石基板。

6.一种LED磊晶制程，其包括以下的步骤：

提供一个基板，在所述基板上生长一个缓冲层，并在所述缓冲层的顶面成长一个第一N型磊晶层；

成长一个阻挡层，以无掺杂或低掺杂成长在所述第一N型磊晶层的顶面；

蚀刻阻挡层，在所述阻挡层形成图型化沟槽，并使所述沟槽到达所述第一N型磊晶层；

成长一个第二N型磊晶层，在所述阻挡层的顶面，并通过所述沟槽与所述第一N型磊晶层接触；

依序成长磊晶层，在所述第二N型磊晶层的顶面，成长一个发光层、一个P型磊晶层以及一个导电层；及

设置电极，在所述磊晶层蚀刻至所述阻挡层或所述第一N型磊晶层，设置一个N型电极，及在所述导电层设置一个P型电极。

7.如权利要求6所述的LED磊晶制程，其特征在于：所述提供一个基板步骤中，所述缓冲层为III族氮化合物半导体，所述第一N型磊晶层为III族氮化合物半导体接触层。

8.如权利要求6所述的LED磊晶制程，其特征在于：所述成长一个阻挡层步骤中，所述阻挡层为无掺杂或低掺杂III族氮化合物半导体电子阻挡层。

9.如权利要求6所述的LED磊晶制程，其特征在于：所述成长一个第二N型磊晶层步骤中，所述第二N型磊晶层为III族氮化合物半导体层。

10.如权利要求6所述的LED磊晶制程，其特征在于：所述依序成长磊晶层步骤中，所述发光层为活性层，所述P型磊晶层为III族氮化合物半导体接触层，所述导电层为透明导电层。

11.如权利要求6所述的LED磊晶制程，其特征在于：所述设置电极步骤中，在所述磊晶层的一个侧边上，蚀刻一个打线端大小的范围设置所述N型电极。