[发明专利]化学气相渗透法制备炭-碳化硅复合材料的方法无效
| 申请号： | 201110182762.4 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102344294A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 孟凡涛;张艳平;魏春城;白佳海;冯柳;牛金叶 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/83 | 分类号： | C04B35/83;C04B35/81;C04B35/622 |
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| 地址： | 255086 山东省淄博*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 渗透 法制 碳化硅 复合材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种化学气相渗透法制备炭-碳化硅复合材料的方法，基体为碳纤维编制体，其特征在于采用以下步骤：将基体放在沉积室内，先沉积炭颗粒作为界面相，再沉积碳化硅晶须制备得炭-碳化硅复合材料；其中：
在沉积炭颗粒步骤中，沉积室有两个气路，一路以甲烷作为反应气，甲烷气流量控制在200～400ml/min，另一路以氩气作为稀释气，氩气流量为600～800ml/min，沉积室内沉积压力为6～7kPa，沉积温度为900～1000℃，沉积时间为3～12h；
在沉积碳化硅晶须步骤中，沉积室的两个气路，一路气是以三氯甲基硅烷为反应气，氢气为载气，将甲基三氯硅烷置于水浴加热的蒸发釜中，水浴温度为35～40℃，蒸发釜的压力控制在0.2～0.3MPa，氢气和三氯甲基硅烷总流量控制在200～300ml/min，氢气通过鼓泡法将甲基三氯硅烷送入沉积室，另一路气是通入氩气，氩气流量为800～900ml/min，采用低压化学气相沉积，沉积室内沉积压力为6～7kPa，沉积温度为1100～1150℃，沉积时间为1～7天，得炭-碳化硅复合材料。
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