[发明专利]薄膜平衡-不平衡转换器有效

专利信息
申请号: 201110183004.4 申请日: 2011-06-27
公开(公告)号: CN102332632A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 远藤真 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01P5/10 分类号: H01P5/10
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 平衡 不平衡 转换器
【说明书】:

技术领域

本发明是有关进行平衡-不平衡信号转换的平衡-不平衡转换器,特别是有关有利于小型薄型化的薄膜制作工艺而形成的薄膜平衡-不平衡转换器。

背景技术

无线通讯机器是由天线、滤波器、RF开关、功率放大器、RF-IC、平衡-不平衡转换器等各种高频元件所构成。在这些元件当中,因为一方面天线和滤波器等共振元件处理(进行信号传输)将接地电位作为基准的不平衡型信号,一方面实行高频信号的生成和处理的RF-IC处理(进行信号传输)平衡型信号,所以在电磁连接两者的情况下要使用作为平衡-不平衡转换器来行使其功能的平衡-不平衡转换器(Balun)。

近来,作为被用于移动电话和携带终端等移动体通讯机以及无线LAN机器等的平衡-不平衡转换器,为了对应于这些机器的小型化而希望更加小型薄型化。作为像这样的薄膜平衡-不平衡转换器例如在专利文献1中有方案提出具有线圈层叠构造的芯片型平衡-不平衡转换器。

专利文献

专利文献1:日本专利申请公开平07-176918号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而,关于上述专利文献1所记载的芯片型平衡-不平衡转换器那样的结构,不能够充分获得既要维持平衡-不平衡转换器的小型化又要在成为转换对象的信号频率下具有所希望的平衡特性,因而会有所谓作为被使用于移动电话等的高频率用的平衡-不平衡转换器其特性还不够充分的问题。

在此,本发明就是借鉴于所涉及到的课题而做出的悉心研究之结果,其目的为提供一种既能够维持小型化又能够改善平衡特性的薄膜平衡-不平衡转换器。

解决课题的手段

为了解决上述课题,根据本发明的薄膜平衡-不平衡转换器,其特征在于:具备拥有第1线路部以及第2线路部的不平衡传输线路、拥有分别与第1线路部以及第2线路部相对配置而且实施电磁结合的第3线路部以及第4线路部的平衡传输线路、连接于第1线路部一端的不平衡端子、连接于第3线路部的第1平衡端子、连接于第4线路部的第2平衡端子、连接于第3线路部以及第4线路部的接地端子;接地端子具有从该接地端子延伸至不平衡端子侧区域的延伸部。换言之,根据本发明的薄膜平衡-不平衡转换器的结构,第1线路部在一端被连接于不平衡端子,并且另一端则被连接于第2线路部、第3线路部在一端被连接于第1平衡端子,并且另一端则被连接于接地端子、第4线路部在一端被连接于第2平衡端子,并且另一端则被连接于接地端子、接地端子其一部分突出于不平衡端子侧。

这样的结构中,通过让接地端子拥有从该接地端子延伸至不平衡端子侧的区域的延伸部,从而由本发明人确认到了薄膜平衡-不平衡转换器的平衡特性特别是振幅差特性的显著改善效果。

另外,上述延伸部也可以被形成于除了与不平衡传输线路以及平衡传输线路的至少一方相对的区域之外的区域。该结构,也由本发明人确认到振幅差特性的显著改善效果。由此,通过适当调整延伸部的配置,从而就会变得既能够维持出色的振幅差特性又能够调整相位差特性。

再有,可以为第3线路部以及第4线路部被形成于第1层,并且电连接第3线路部以及第4线路部的连接部以及与该连接部相连接的延伸部被形成于第2层,另外也可以为连接部与延伸部由引出导体而被互相连接,并且该引出导体以比接地端子侧更加靠近不平衡端子侧的方式被配置。该结构,也由本发明人确认到振幅差特性的显著改善效果。

再有,也可以在与形成了第3线路部和第4线路部的层相同的层上或者在与形成了第1线路部和第2线路部的层相同的层上形成延伸部。该结构中,由本发明人确认到并不限制延伸部形成的层而上述相位差特性有着显著的改善效果。

另外,关于上述专利文献1所公开的芯片型平衡-不平衡转换器的构造,如果单纯地实行小型化,那么由于传输线路长度的变化而会有电感值发生变化而使平衡-不平衡转换器的诸项特性发生变动的倾向。

因此,要消除该不理想的情况,并且为了既要维持被要求的平衡-不平衡转换器诸项特性又要进一步提高通过特性等特性,而可以将第3线路部以及第4线路部形成于相同的阶层,在与该阶层不相同的阶层上第3线路部和第4线路部经由L成分被电连接。即,作为被形成于相同的阶层的第3线路部以及第4线路部经由绝缘层分别被引出至与该阶层不相同的阶层,并且进一步由L成分被互相连接的结构也是可以的。

根据这样的结构,那么通过将L成分设置于第3线路部与第4线路部之间,从而就能够使电路阻抗发生变化来改善阻抗匹配,由此而被判明提高了薄膜平衡-不平衡转换器的电气特性。

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