[发明专利]像素结构及电性桥接结构

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，设置于一基板上，该像素结构包括：

一薄膜晶体管元件，位于该基板上，该薄膜晶体管元件包括一半导体层、一栅极电极、一栅极介电层、源极与漏极电极以及一浮置导电垫：该半导体层位于该基板上；该栅极电极位于该基板上；该栅极介电层位于该半导体层与该栅极电极之间；所述两个源/漏极电极位于该基板上并分别对应于该半导体层的两相对侧；以及该浮置导电垫位于该基板上并位于该半导体层的一侧，其中该浮置导电垫与该两源/漏极电极的其中一者电性连接；

一绝缘层，位于该薄膜晶体管元件之上，其中该绝缘层具有一第一接触洞，部分暴露出该浮置导电垫；以及

一像素电极，位于该绝缘层上并经该第一接触洞与该浮置导电垫电性连接。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该薄膜晶体管元件的该半导体层包括一有机半导体层。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该两源/漏极电极的材料包括银、铝、铜、镁的其中至少一者、上述材料的复合层或上述材料的合金。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该浮置导电垫包括一单层浮置导电垫或一复合层浮置导电垫。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该浮置导电垫的材料包括一抗氧化材料。

6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，其中该抗氧化材料包括钛、钼、钨、金、铂、铬、镍、钯、钴的其中至少一者、上述材料的复合层或上述材料的合金。

7.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，其中该抗氧化材料包括一金属氧化物导电材料或一金属氮化物导电材料。

8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该绝缘层的该第一接触洞未暴露出该两源/漏极电极。

9.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该两源/漏极电极位于该基板与该半导体层之间，该两源/漏极电极的其中一者部分覆盖该浮置导电垫，该栅极介电层位于该半导体层上，该栅极介电层具有一第二接触洞部分暴露出该浮置导电垫，且该栅极电极位于该栅极介电层的上方。

10.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该半导体层位于该两源/漏极电极与该基板之间，该栅极介电层位于该半导体层与该两源/漏极电极上，该栅极介电层具有一第二接触洞部分暴露出该浮置导电垫，且该栅极电极位于该栅极介电层的上方。

11.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该栅极电极位于该基板与该栅极介电层之间，该栅极介电层具有一第二接触洞部分暴露出该浮置导电垫，该半导体层位于该栅极介电层上，该两源/漏极电极位于该栅极介电层与该半导体层之间，且该两源/漏极电极的其中一者填入部分的该第二接触洞而部分覆盖该浮置导电垫。

12.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中该栅极电极位于该基板与该栅极介电层之间，该栅极介电层具有一第二接触洞部分暴露出该浮置导电垫，该半导体层位于该栅极介电层上，该两源/漏极电极位于该栅极介电层与该半导体层上，且该两源/漏极电极的其中一者填入部分的该第二接触洞之内而与该浮置导电垫电性连接。

13.一种电性桥接结构，其特征在于，设置于一基板上，该电性桥接结构包括：

一导线，位于该基板上，其中该导线的材料包括银、铝、铜、镁的其中至少一者、上述材料的复合层或上述材料的合金；

一浮置导电垫，位于该基板上并与该导线电性连接，其中该浮置导电垫的材料包括一抗氧化材料；

一绝缘层，位于该浮置导电垫上，且该绝缘层具有一接触洞，部分暴露出该浮置导电垫；以及

一导电层，位于该绝缘层上并经该接触洞与该浮置导电垫电性连接。

14.根据权利要求13所述的电性桥接结构，其特征在于，其中该浮置导电垫包括一单层浮置导电垫或一复合层浮置导电垫。

15.根据权利要求13所述的电性桥接结构，其特征在于，其中该抗氧化材料包括钛、钼、钨、金、铂、铬、镍、钯、钴的其中至少一者、上述材料的复合层或上述材料的合金。

16.根据权利要求13所述的电性桥接结构，其特征在于，其中该抗氧化材料包括一金属氧化物导电材料或一金属氮化物导电材料。