[发明专利]IGBT器件的制备方法

权利要求书

1.一种IGBT器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，采用光刻工艺，在衬底背面定义出间隔排列的图形；

步骤二，刻蚀所述衬底背面至预定深度形成槽或孔，在衬底背面形成间隔排列的孔或槽图形；

步骤三，采用淀积工艺，在所述衬底背面的孔或槽图形中填充硅材料，所述硅材料中掺杂杂质的体浓度在1×10¹³个原子每立方厘米至1×10²⁰个原子每立方厘米之间；

步骤四，对所述衬底进行退火处理，使所述掺杂杂质扩散，从而在所述衬底背面形成掺杂杂质分布均匀的场阻挡层。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤三中的硅材料为单晶硅、多晶硅或非晶硅。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤二中刻蚀形成的为槽，所述槽的侧壁与水平面的夹角为87°～90°。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤二中预定深度为大于100微米。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤四中退火处理中处理工艺的温度大于1100度，退火时间大于5小时。