[发明专利]干蚀刻装置无效
申请号: | 201110183533.4 | 申请日: | 2009-07-03 |
公开(公告)号: | CN102290328A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 崔钟龙 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01J37/32;H01L21/687 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 装置 | ||
本申请是申请号为“200910157258.1”、申请日为2009年7月3日、发明名称为“干蚀刻装置”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种干蚀刻装置,尤其是,一种能够在基板表面上形成均匀图案的干蚀刻装置。
背景技术
具有半导体特性的太阳能电池可将光能转化为电能。
下面对根据现有技术的太阳能电池的构造和原理进行简要介绍。太阳能电池以P型半导体与N型半导体结合在一起的PN结的构造形成。当太阳光线照射在具有PN结构造的太阳能电池上的时候,由于太阳光线的能量而在该半导体上生成空穴(+)和电子(-)。由于在PN结的区域产生了电场,空穴(+)向P型半导体漂移,电子(-)向N型半导体漂移,因此随着电势的出现而形成电能。
太阳能电池主要分为晶片太阳能电池和薄膜型太阳能电池。
晶片太阳能电池使用诸如硅等半导体材料制成的晶片。同时,薄膜型太阳能电池是通过在玻璃基板上以薄膜的形式形成半导体而制成。
晶片太阳能电池的缺点是,与薄膜型太阳能电池相比,晶片太阳能电池较厚并且其通过利用昂贵的材料而制成。然而,在效率上,晶片太阳能电池优于薄膜型太阳能电池。
为了最大化晶片太阳能电池中太阳光线的吸收,在晶片太阳能电池的基板表面上形成不平整结构(或凹凸图案)。
如果使用单晶硅基板,将进行诸如碱蚀刻的湿蚀刻以便在单晶硅基板表面上形成不平整结构(或图案)。同时,如果使用多晶硅基板,晶体分子被布置为不同取向方向,因此难以通过碱蚀刻在多晶硅基板的表面上形成不平整结构(或图案)。
另外,如果通过湿蚀刻形成不平整结构(或图案),基板的厚度减小。在这方面,当进行湿蚀刻时,必须使用厚基板。使用厚基板导致太阳能电池的生产成本增加。
因此,需要提出一种用于在基板表面均匀地形成不平整结构的新方法,而不需考虑晶体分子的取向。
当基板被通过用于制造半导体器件或平板显示器的工艺的湿蚀刻蚀刻时,使用厚基板导致生产成本增加。另外,难以在基板上实现均匀的图案。
最终,对于当制造太阳能电池、半导体器件或平板显示器时在基板上形成均匀图案的方法的需求正在增加。
发明内容
因此,本发明提出一种干蚀刻装置,基本避免了由于现有技术的限制和缺点而产生的一个或多个问题。
本发明的一个方面是提供一种干蚀刻装置,其能够在基板表面上形成均匀的图案。
本发明其它的特点和方面将在下面的说明中部分地阐明,并且部分地,对于本领域的技术人员,通过查阅下文而变得明显,或者可以从实践本发明而了解。本发明的目的和其它优点可以通过在书面说明书及其权利要求和附图中特别指出的结构而实现和获得。
为了达到这些和其它优点并与本发明的目的一致,如在此具体地和概括地描述的,一种用于通过利用等离子体蚀刻至少一个基板的干蚀刻装置,包括:放置于腔室内部的托盘上的至少一个基板;基座,设置在腔室内部同时对着至少一个基板,用于提供高频电能从而形成等离子体;接地部件,设置在基座的下面但是不与基座接触;以及,绝缘部件,设置在基座和接地部件之间。
接地部件形成为矩形或圆形的、具有中心孔的平板。
并且,接地部件包括网孔部分。
接地部件包括以网格布局排列的多个开口。
接地部件形成为矩形或圆形框架。
绝缘部件由陶瓷或特氟隆(Teflon)材料形成。
绝缘部件包括:对着基座中心部分的第一绝缘体;以及与第一绝缘体结合的多个第二绝缘体,其中第二绝缘体是弯曲的从而对着基座的侧面和基座除中心部分外的其余部分。
各个阶梯形表面形成在用于使第一绝缘体和第二绝缘体彼此结合的部分上,以及使相邻的第二绝缘体彼此结合的部分上,并且,其中第一和第二绝缘体通过阶梯形表面结合。
另外,干蚀刻装置还包括:设置在绝缘部件与基座之间的第一密封构件;以及设置在绝缘部件与接地部件之间的第二密封构件。
并且,干蚀刻装置包括:基座支承构件,用于通过升高接地部件使基座与基板的后表面电连接;以及用于向基座提供高频电能的电极棒,所述电极棒穿过基座支承构件。
基座支承构件包括:通过穿过腔室、接地部件和绝缘部件而与基座连接的第一支承件;通过穿过腔室与接地部件连接的第二支承件;以及与第一和第二支承件连接的板。
并且,通过升高基座使用于支承至少一个基板的托盘与基座电连接。
另外,干蚀刻装置包括设置在腔室和板之间的弹簧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造