[发明专利]多晶硅还原炉及其喷嘴无效

专利信息
申请号: 201110184279.X 申请日: 2011-07-01
公开(公告)号: CN102311119A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 严大洲;肖荣晖;毋克力;汤传斌;汪绍芬;姚心 申请(专利权)人: 中国恩菲工程技术有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 宋合成
地址: 100038*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 多晶 还原 及其 喷嘴
【权利要求书】:

1.一种多晶硅还原炉用喷嘴,其特征在于,所述多晶硅还原炉用喷嘴包括:

基座,所述基座内形成有第一进气腔;

引流部,所述引流部与所述基座的上端相连且所述引流部内形成有第二进气腔,所述第二进气腔与所述第一进气腔相连通且所述第二进气腔的横截面积小于所述第一进气腔的横截面积;和

导流部,所述导流部与所述引流部的上端相连且所述引流部内形成有位于中部的中央喷孔和环绕所述中央喷孔且沿圆周方向均匀分布的多个侧喷孔,所述中央喷孔和所述多个侧喷孔与所述第二进气腔相连通。

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉用喷嘴,其特征在于,所述中央喷孔的横截面积大于所述多个侧喷孔的每个的横截面积。

3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉用喷嘴,其特征在于,所述多个侧喷孔的每个的横截面均为矩形。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的多晶硅还原炉用喷嘴,其特征在于,所述多个侧喷孔的每个均为从底部以预定仰角旋转至顶部的侧旋喷孔。

5.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉用喷嘴,其特征在于,所述多个侧旋喷孔的内表面的母线为双曲线、抛物线、椭圆弧线或渐开线。

6.根据权利要求5所述的多晶硅还原炉用喷嘴,其特征在于,所述多个侧旋喷孔的数量为4-8个。

7.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉用喷嘴,其特征在于,所述引流部通过螺纹连接与所述基座的上端相连。

8.根据权利要求7所述的多晶硅还原炉用喷嘴,其特征在于,所述基座的上部内侧形成有内螺纹且所述引流部的下部形成有与所述内螺纹相配合的外螺纹。

9.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉用喷嘴,其特征在于,所述引流部的上部形成有外喇叭口型的连接锥段,所述导流部配合在所述连接锥段内。

10.一种多晶硅还原炉,其特征在于,包括:

底盘,所述底盘上设有进气通孔;和

喷嘴,所述喷嘴设在所述底盘上且所述喷嘴为根据权利要求1-9中任一项所述的多晶硅还原炉用喷嘴,其中所述第一进气腔与所述进气通孔相连通。

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