[发明专利]存储元件和存储装置无效
| 申请号： | 201110184419.3 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102376354A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 保田周一郎;清宏彰;河内山彰;紫牟田雅之;山田直美 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L45/00;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
1.一种存储元件，其包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极，其中，所述存储层包括：
电阻变化层，所述电阻变化层设置在所述第一电极侧；以及
离子源层，所述离子源层设置在所述第二电极侧，且所述离子源层的电阻值高于所述电阻变化层的电阻值，
并且，所述电阻变化层的电阻值响应于由施加到所述第一电极和所述第二电极上的电压引起的组分变化而变化。
2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述存储层包括位于所述电阻变化层与所述第一电极之间的氧化物层。
3.根据权利要求1或2所述的存储元件，其中，所述电阻变化层含有碲。
4.根据权利要求1或2所述的存储元件，其中，所述离子源层含有金属元素铜、铝、锗和锌中的至少一种，并且含有氧、碲、硫和硒中的至少一种。
5.根据权利要求1或2所述的存储元件，其中，所述离子源层含有金属元素铜、铝、锗和锌中的至少一种，还含有锆、钛和钨中的至少一种，并且含有氧、碲、硫和硒中的至少一种。
6.根据权利要求1或2所述的存储元件，其中，所述电阻变化层的电阻值的变化是因为由施加到所述第一电极和所述第二电极上的电压引起的在所述电阻变化层中形成了含有金属元素的低电阻部而发生的。
7.一种存储装置，其包括：
多个存储元件；以及
脉冲施加单元，所述脉冲施加单元选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲，
其中，各个所述存储元件是根据权利要求1至6任一项所述的存储元件。
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